[发明专利]具有电隔离屏障层的包括由沟槽围绕的阳极多孔区域的设备以及相应的方法

权利要求书

1.一种电气设备，包括：

金属屏障层(102)，

在所述金属屏障层上的阳极多孔氧化物区域(AAO)，

围绕所述阳极多孔氧化物区域到达所述金属屏障层的沟槽(104)，

至少在所述阳极多孔氧化物区域的侧面的所述沟槽的壁(106)上的衬垫(107)，所述衬垫(107)形成电隔离屏障并且具有在所述阳极多孔氧化物区域上的开口(109)，

设置在所述沟槽和所述衬垫上方的硬掩模(108)，所述硬掩模(108)至少具有在所述阳极多孔氧化物区域上的开口(109)。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬垫(106)以保形方式布置在所述沟槽(104)的两个壁上和所述沟槽的底部上。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述硬掩模的厚度被选择为大于至少部分地填充有所述衬垫的所述沟槽中的空隙的宽度(W1)的一半。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，所述衬垫被沉积成使得在所述沟槽中布置有第一保留沟槽，并且：

所述硬掩模包括在所述第一保留沟槽的水平处的附加开口，或者

所述硬掩模的厚度被选择成使得在所述第一保留沟槽中布置有第二保留沟槽。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中，所述沟槽的纵横比低于2。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述硬掩模的开口的边缘与所述阳极多孔氧化物区域的侧面的所述沟槽的壁对准，或者与所述阳极多孔氧化物区域的侧面的所述沟槽的壁在所述区域的中心的方向上间隔开给定距离(W2)。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述给定距离大于500纳米。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中，所述衬垫包括二氧化硅或氮化硅或钼或钨。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中，所述阳极多孔氧化物区域包括氧化铝。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，还包括电容器，所述电容器包括第一导电层、覆盖所述第一导电层的第一绝缘层和覆盖所述第一绝缘层的第二导电层，所述电容器形成在所述阳极多孔氧化物区域的孔隙内部。

11.一种制造包括阳极多孔氧化物区域的电气设备的方法，包括：

在金属屏障层(102)上形成可阳极化金属层(103)，

围绕所述可阳极化金属层(105)的一部分在所述可阳极化金属层中形成沟槽(104)，所述可阳极化金属层(105)的所述一部分在阳极化之后将包括阳极多孔氧化物区域(AAO)，所述沟槽到达所述金属屏障层，

至少在所述可阳极化金属层的所述一部分的侧面的所述沟槽的壁(106)上形成衬垫(107)，所述衬垫(107)具有在所述阳极多孔氧化物区域上的开口，

在所述沟槽和所述衬垫上方形成硬掩模(108)，所述硬掩模(108)至少具有在所述可阳极化金属层的所述一部分上的开口，

将所述可阳极化金属层的所述一部分阳极化以获得所述阳极多孔氧化物区域(AAO)，

其中，所述衬垫围绕所述阳极多孔氧化物区域形成电隔离屏障。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述衬垫包括以保形方式将所述衬垫沉积在所述沟槽的两个壁上和所述沟槽的底部上。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述硬掩模的开口的边缘与所述可阳极化层的所述一部分的侧面的所述沟槽的壁对准，或者与所述可阳极化层的所述一部分的侧面的所述沟槽的壁在所述一部分的中心的方向上间隔开给定距离(W2)。