[发明专利]半导体器件的制造方法、程序、衬底处理装置及衬底处理方法

说明书

能够抑制由处理容器内的膜剥离引起的颗粒的产生。包括：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)进行向处理容器内供给处理气体、以在衬底上形成包含钛和氮的膜的处理的工序；(c)将处理后的衬底从处理容器内搬出的工序；和(d)向将处理后的衬底搬出后的处理容器内供给包含硅、金属或卤素中的至少任一者的改性气体的工序。

技术领域

本公开文本涉及半导体器件的制造方法、程序、衬底处理装置及衬底处理方法。

背景技术

作为具有三维结构的NAND型闪存、DRAM的字线，例如使用了低电阻的钨(W)膜。另外，有时在该W膜与绝缘膜之间设置例如氮化钛(TiN)膜作为阻隔膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。TiN膜具有提高W膜与绝缘膜的密合性的作用，有时在该TiN膜上形成使W膜生长的核形成膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-66263号公报

专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

但是，这样的核形成膜也形成于处理容器内的内壁、虚设衬底等上，若累积膜厚变厚，则以大的晶粒的形式异常生长，有时发生膜剥离。

本公开文本的目的在于提供能够抑制由处理容器内的膜剥离引起的颗粒的产生的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括：

(a)向处理容器内搬入衬底的工序；

(b)进行前述处理容器内供给处理气体、以在前述衬底上形成包含钛和氮的膜的处理的工序；

(c)将处理后的前述衬底从前述处理容器内搬出的工序；和

(d)向将处理后的前述衬底搬出后的前述处理容器内供给包含硅、金属或卤素中的至少任一者的改性气体的工序。

发明的效果

根据本公开文本，能够抑制由处理容器内的膜剥离引起的颗粒的产生。

附图说明

[图1]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的立式处理炉的概略的纵向剖视图。

[图2]为图1中的A-A线概略横向剖视图。

[图3]为本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的控制器的概略构成图，且是以框图示出控制器的控制系统的图。

[图4]图4的(A)为示出本公开文本的一个实施方式中的工艺流程的图，图4的(B)为示出通过图4的(A)的流程形成的处理容器内的内壁等的表面上的TiN膜的图。

[图5]图5的(A)为示出本公开文本的一个实施方式中的成膜工序中的气体供给的一例的图，图5的(B)为示出本公开文本的一个实施方式中的处置工序中的气体供给的一例的图。

[图6]图6的(A)及图6的(B)为示出本公开文本的另一实施方式中的衬底处理装置的处理炉的概略的纵向剖视图。

[图7]是对比较例及实施例1、2中形成于虚设衬底上的TiN膜的表面粗糙度进行比较而示出的图。

具体实施方式

以下，参照图1～5进行说明。需要说明的是，以下的说明中使用的附图均为示意性的，附图所示的各要素的尺寸关系、各要素的比率等并不必然与实际情况的一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也并不必然一致。

(1)衬底处理装置的构成