[发明专利]加工装置和方法

说明书

[课题]提供一种用于安全地加工晶圆的加工装置和方法，其中，在该晶圆的外面上形成有凸块。[解决方案]加工装置(10)设置有：卡盘(40)，其可保持晶圆(20)的凸起区域(24)；支承环(30)，其具有用于支承弯曲区域(26)的支承面(32)，上述弯曲区域(26)从凸起区域(24)延伸到外周区域(25)，并且膜(20)在上述弯曲区域中弯曲，上述支承环(30)可支承晶圆(20)的外周区域(25)；以及卡盘台(16)，卡盘(40)容纳在卡盘台(16)的基本中间处，并且在卡盘(40)的外周容纳支承环(30)。

技术领域

本发明涉及将晶圆加工得较薄的加工装置和方法，其中，在该晶圆外面上形成有多个凸块。

背景技术

如果在半导体制造领域中，作为将硅晶圆等的半导体晶圆(以下称为“晶圆”)磨削成较薄且平坦的装置，已知有将旋转的磨削砂轮的磨削面按压于晶圆上而对晶圆的内面进行磨削的加工装置。在晶圆的内面磨削时，为了保护形成于晶圆外面上的晶片、凸块，在晶圆外面上粘贴有保护外面的膜。

当晶圆的内面磨削结束时，在切割膜粘贴装置中将切割膜粘贴于晶圆的内面上，使晶圆与安装框一体化。接着，在将粘贴于晶圆的外面上的外面保护膜剥离后，将晶圆切割成格子状。通过切割而形成的晶片拾取并安装于引线框上(例如，参照专利文献1)。

图8是进行晶圆的内面磨削的加工装置的一个例子。晶圆90在外面91的晶片92上形成有凸块93，并且以覆盖凸块B的方式粘贴有膜94。晶圆90以其内面95朝向上方的方式吸附而保持于工作台96上，并且在筒体97支承晶圆90的外周的状态下，磨削砂轮98对内面95进行磨削。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2009-206475号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在图8所示那样的加工装置中，工作台96与筒体97之间的高低差对应于凸块93的高度而变高，在凸块93的高度超过100μm那样的带高凸块的晶圆90中，膜94不能完全吸收高低差，膜94与工作台96间隔开地浮起而产生俯视时呈环状的间隙，薄的晶圆90有可能在内面磨削时从未支承于间隙中的部分破裂。

因此，为了安全地加工在外面上形成有凸块的晶圆，会产生应解决的技术问题，本发明的目的在于解决该问题。

用于解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的加工装置涉及对晶圆的内面进行磨削的加工装置，上述晶圆包含凸块区域和上述凸块区域的周围的外周区域，该凸块区域通过在上述晶圆外面上形成凸块而得到，其中，在上述外面上粘贴有膜，其特征在于，上述加工装置包括：卡盘，该卡盘能保持上述晶圆的凸块区域；支承部件，该支承部件具有支承弯曲区域的支承面，能支承上述晶圆的外周区域，上述弯曲区域中，上述膜从上述凸块区域弯曲到上述外周区域；以及卡盘工作台，该卡盘工作台容纳上述卡盘，在上述卡盘的外周容纳上述支承部件。

按照该方案，通过支承部件对膜的弯曲区域进行支承，该膜的弯曲区域以从卡盘而浮起凸块的高度的量的方式弯曲，因此，膜通过支承部件以及卡盘无间隙地被支承，因此能够在不使带凸块的晶圆破损的情况下安全地对其进行加工。

另外，在本发明的加工装置中，最好，上述支承部件嵌入在上述卡盘的外周所形成的环状槽中。

按照该方案，通过将支承部件以包围卡盘的方式设置成环状，从而在大范围内支承晶圆，因此能够在不使带凸块的晶圆破损的情况下安全地对其进行加工。

另外，在本发明的加工装置中，最好，上述支承部件和卡盘工作台由呈现大致相同的热膨胀系数的材料构成。

按照该方案，由于在晶圆加工时产生的摩擦热使支承部件和卡盘工作台大致均匀地热膨胀，因此能够高精度地对晶圆进行加工。