[发明专利]高温超导体场线圈

权利要求书

1.一种从一个或多个HTS条带制造高温超导体HTS场线圈的方法，每个HTS条带包括HTS材料层，所述方法包括：

围绕轴线缠绕所述一个或多个HTS条带以形成包括HTS条带的绕组的场线圈；和

围绕所述绕组中的一个或多个绕组的至少一部分从所述HTS条带中的一个或多个HTS条带的轴向边缘去除材料，以减小所述一个或多个HTS条带沿所述场线圈的所述轴线的范围。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘去除材料包括减小所述HTS材料层沿所述场线圈的所述轴线的范围。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述HTS条带或每个HTS条带包括柔性衬底、设置在所述柔性衬底的面上的中间层、设置在所述中间层上的所述HTS材料层、和与所述HTS材料电接触并横跨所述HTS条带的至少所述轴向边缘延伸的导电包层；以及

其中，从所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的轴向边缘去除材料包括：围绕所述绕组中的一个或多个绕组的至少一部分从所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘部分地或全部地去除所述包层，以增加所述绕组中的HTS材料层与相邻绕组中的HTS材料层之间的电阻。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述中间层是电绝缘体层或半导体层，或包括电绝缘体层或半导体层。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，从所述HTS条带中的一个或多个HTS条带的边缘去除所述包层包括：去除所述包层，以围绕所述绕组中的一个或多个绕组的至少一部分暴露位于所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的轴向边缘处的所述HTS材料层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括用绝缘体或导体材料密封所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的所述边缘。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，从所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘去除材料包括以机械方式去除材料，优选地通过对所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘进行机加工来去除材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，以机械方式去除材料包括切割、钻孔；激光切割、等离子切割、水射流切割；磨削、砂磨、线侵蚀、车削、激光烧蚀、离子铣削、溅射和放电加工中的一种或多种。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，以化学方式从所述HTS条带中的所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘部分地或全部地去除材料。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括在从所述一个或多个HTS条带的所述轴向边缘去除材料的步骤期间冷却所述HTS场线圈。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，去除材料包括切割穿过所述HTS场线圈，以将所述HTS场线圈分成两个或更多个HTS场线圈。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述两个或更多个HTS场线圈之间形成一个或多个电连接以形成螺线管。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，围绕轴线缠绕所述一个或多个HTS条带以形成场线圈包括缠绕具有所述一个或多个HTS条带的两个外部HTS条带和一个或多个内部HTS条带的线缆，所述一个或多个内部HTS条带布置在所述外部HTS条带之间并且具有金属包层，所述金属包层在所述两个外部HTS条带的所述HTS层之间提供导电路径。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在去除材料之前和/或之后，所述一个或多个内部HTS条带沿所述线圈的所述轴线的范围小于所述外部HTS条带沿所述线圈的所述轴线的范围。