[发明专利]磁场生成装置及磁场生成装置的控制方法在审
| 申请号: | 202180030545.5 | 申请日: | 2021-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN115443173A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
| 发明(设计)人: | 李静苑 | 申请(专利权)人: | 拉德射尔株式会社 |
| 主分类号: | A61N5/10 | 分类号: | A61N5/10;A61N2/00;A61N2/02 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址: | 韩国江原*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁场 生成 装置 控制 方法 | ||
1.一种磁场生成装置,作为与利用光子束放射线治疗照射对象的患部组织的放射线治疗装置联动的磁场生成装置,其特征在于,包括:
磁场产生部,在所述照射对象的内部形成磁场;以及
同步化控制部,使与所述光子束放射线对应的放射线脉冲和与所述磁场对应的磁场脉冲同步。
2.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述同步化控制部与所述放射线治疗装置的放射线量控制部联动,
所述同步化控制部从所述放射线量控制部接收光子束放射线的输出周期,并使所述光子束放射线的输出周期与磁场的输出周期同步。
3.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,还包括:
脉冲检测部,检测所述光子束放射线,
其中,所述同步化控制部分析检测到的所述光子束放射线而获得光子束放射线的输出周期。
4.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述同步化控制部以在所述磁场达到目标值之后使由所述光子束放射线的照射而产生的二次电子生成区间包括在磁场生成时间范围内的方式设定所述磁场生成范围。
5.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述同步化控制部考虑所述磁场达到目标值为止所需的延迟时间而设定磁场生成时间范围。
6.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述患部组织、正常组织及低密度空间位于所述照射对象的所述内部设置有,并且所述低密度空间与所述患部组织或所述正常组织中至少一个相邻,
所述磁场产生部在所述低密度空间形成磁场。
7.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述磁场产生部包括电磁体、永久磁体或其复合体,
所述磁场产生部沿所述照射对象的周围旋转,或者沿所述照射对象的周围以固定或流动的方式布置。
8.根据权利要求1所述的磁场生成装置,其特征在于,
所述磁场产生部包括以所述放射线照射的轴为基准形成左右对称结构而布置的多个电磁体、永久磁体或其复合体。
9.根据权利要求8所述的磁场生成装置,其特征在于,还包括:
板形框架,供所述照射对象安置,并布置有所述电磁体、所述永久磁体或所述复合体,
其中,所述板形框架具有供所述电磁体、所述永久磁体或所述复合体移动的空间。
10.一种放射线治疗装置,其特征在于,包括:
放射线产生部,与权利要求1所述的磁场生成装置联动,并向所述照射对象的所述患部组织照射放射线。
11.一种放射线及磁场生成装置,作为将光子束放射线照射到照射对象的体内的患部组织的放射线及磁场生成装置,包括:
放射线产生部,向所述照射对象照射光子束放射线,在被照射所述光子束放射线的所述照射对象的区域中诱导二次电子的产生;
磁场产生部,包括设置为插入体内并形成低密度空间的插入结构体,并在所述二次电子所产生的区域中形成磁场;以及
同步化控制部,基于所述光子束放射线所照射的区域与所述患部的位置关系来控制所述磁场的形成,以使所述二次电子中的至少一部分向所述低密度空间移动,并且使所述二次电子避开与所述患部组织相邻的正常组织而进行移动,
其中,所述插入结构体的形态基于所述光子束放射线所照射的区域与所述患部的位置关系而预先确定。
12.根据权利要求11所述的放射线及磁场生成装置,其中,
所述插入结构体设置为插入于所述体内并通过预先确定的体积形状来形成所述低密度空间的气囊(balloon)结构体。
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