[发明专利]PVD装置在审
申请号: | 202180030110.0 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN115461489A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 清野拓哉;小田岛保志;渡边直树;户岛宏至;品田正人;宫下哲也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 宋魏魏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pvd 装置 | ||
本发明涉及PVD装置。PVD装置具备:腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内,并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶,该靶暴露在腔室内的空间,并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内,一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
技术领域
本公开的各种方面以及实施方式涉及PVD装置。
背景技术
在下述的专利文献1中公开了通过物理气相沉积(PVD)使靶材料的构成物质层叠在基板上的PVD装置。
专利文献1:日本特表2018-537849号公报
发明内容
本公开提供一种PVD装置,能够提高对多个基板的成膜处理的生产率。
本公开的一方面是PVD装置,具备:腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内,并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶,该靶暴露在腔室内的空间,与一个载置台对置地设置至少一个靶。电力供给机构经由靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置在腔室内,屏蔽件的一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
根据本公开的各个方面以及实施方式,能够提高对多个基板的成膜处理的生产率。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。
图2是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图3是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图4是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图5是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图6是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图7是表示本公开的一个实施方式中的PVD系统的一个例子的系统结构图。
图8是表示本公开的一个实施方式中的PVD装置的一个例子的简要俯视图。
图9是表示图8所例示的PVD装置的A-A截面的一个例子的简要剖视图。
图10是表示图8所例示的PVD装置的B-B截面的一个例子的简要剖视图。
图11是用于说明多个靶和多个载置台的位置关系的一个例子的示意图。
图12是用于说明多个靶和多个载置台的位置关系的其它例子的示意图。
具体实施方式
以下,基于附图对所公开的PVD装置的实施方式进行详细说明。此外,并不是通过以下的实施方式来限定所公开的PVD装置。
然而,在现有的PVD装置中,在腔室内收容一个基板,对所收容的一个基板进行成膜。因此,难以提高对多个基板的成膜处理的生产率。
因此,本公开提供能够提高对多个基板的成膜处理的生产率的技术。
[半导体装置的制造方法]
图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。在本实施方式中,通过对基板W进行加工来制造半导体装置。在以下,参照图2~图6对基板W的加工步骤进行说明。
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