[发明专利]电化学装置及其控制方法、电子装置和存储介质

权利要求书

1.一种电化学装置的控制方法，所述电化学装置的初始放电截止电压为第一电压，初始充电截止电压为第二电压，所述控制方法包括步骤a)和b)：

a)当所述电化学装置的内阻变化率小于第一阈值时，以所述第一电压和所述第二电压进行充放电；

b)当所述电化学装置的内阻变化率大于等于所述第一阈值时，以第一提升量提升所述电化学装置的放电截止电压。

2.根据权利要求1所述的电化学装置的控制方法，其中，当所述电化学装置的内阻变化率大于等于所述第一阈值时，以所述第一提升量提升所述电化学装置的放电截止电压包括：

c)当所述电化学装置的内阻变化率大于或等于所述第一阈值并且小于或等于第二阈值时，以所述第一提升量提升所述电化学装置的放电截止电压，其中，所述第二阈值大于所述第一阈值；

d)当所述电化学装置的内阻变化率大于所述第二阈值和/或当所述电化学装置的放电截止电压被提升至第一电压阈值时，执行与所述电化学装置的充放电状态有关的操作。

3.根据权利要求1所述的电化学装置的控制方法，其中，所述电化学装置包括负极极片，所述负极极片包括负极活性材料层，所述负极活性材料层包括硅基材料。

4.根据权利要求3所述的电化学装置的控制方法，其中，所述负极活性材料层中的Si元素的质量占所述负极活性材料层的质量的比例为1％至90％。

5.根据权利要求1所述的电化学装置的控制方法，其中，所述第一电压的取值范围为2.5V至3.5V，所述第二电压的取值范围为4.2V至4.6V。

6.根据权利要求1所述的电化学装置的控制方法，其中，所述第一阈值满足：1％≤第一阈值≤10％。

7.根据权利要求2所述的电化学装置的控制方法，其中，所述第二阈值满足10％＜第二阈值≤20％。

8.根据权利要求1所述的电化学装置的控制方法，其中，所述第一提升量的取值范围为0.03V至0.6V。

9.根据权利要求2所述的电化学装置的控制方法，其中，所述执行与所述电化学装置的充放电状态有关的操作包括步骤的e)至f)中的至少一个：

e)停止所述电化学装置的充放电操作；

f)发送停止所述电化学装置的充放电操作的提示信息。

10.一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的控制方法。

11.一种充电装置，包括处理器和计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令时，实现权利要求1至9中任一项所述的控制方法。

12.一种电化学装置，其中，包括处理器和计算机可读存储介质，所述电化学装置的初始放电截止电压为第一电压，初始充电截止电压为第二电压，所述计算机可读存储介质存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令时，实现控制方法，所述控制方法包括步骤a)和b)：

a)当所述电化学装置的内阻变化率小于第一阈值时，以所述第一电压和所述第二电压进行充放电；

b)当所述电化学装置的内阻变化率大于等于所述第一阈值时，以第一提升量提升所述电化学装置的放电截止电压。