[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

本发明的透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材(21)和透明导电层(3)。透明导电层(3)含有氪，透明导电层(3)的霍尔迁移率为20.5cm²/V·s以上。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术

已知透明导电性薄膜等光学薄膜被用于触摸面板等光学用途。透明导电性薄膜依次具备例如有机高分子薄膜基材和透明导电膜。

这种透明导电性薄膜是通过利用溅射且在氩气的存在下，在有机高分子薄膜基材的表面成膜出透明导电膜而得到的。

但是，近年来期望降低透明导电层的电阻率。因而，提出了在氪气和/或氙气的存在下实施溅射的透明导电薄膜的制造方法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-334924号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1所记载的透明导电薄膜有时利用酸进行蚀刻。但是，专利文献1所记载的透明导电薄膜在蚀刻中，有时蚀刻1nm所需的秒数(sec/nm、以下记作蚀刻速率)过小，难以图案化成期望的形状。

本发明提供既能够降低透明导电层的电阻率又能够稳定地将透明导电层图案化成期望形状的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向依次具备透明树脂基材和透明导电层，前述透明导电层含有氪原子，前述透明导电层的霍尔迁移率为20.5cm²/V·s以上。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层包含铟锡复合氧化物。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层的电阻率小于2.2×10^-4Ω·cm。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层具有图案形状。

发明的效果

本发明的透明导电性薄膜中，透明导电层含有氪原子，且具有20.5cm²/V·s以上的霍尔迁移率。因此，既能够降低透明导电层的电阻率，又能够在利用酸对透明导电层进行蚀刻时确保适合的蚀刻速率，能够稳定地图案化成期望的形状。

附图说明

图1是表示本发明的透明导电性薄膜的一个实施方式的示意图。

图2是表示图1中示出的透明导电性薄膜的制造方法的一个实施方式的示意图。图2的A表示准备透明树脂基材的工序。图2的B表示在透明基材的厚度方向的一个面配置功能层的工序。图2的C表示在功能层的厚度方向的一个面配置含有氪的透明导电层的工序。图2的D表示在含有氪的透明导电层的厚度方向的一个面配置不含氪的透明导电层的工序。图2的E表示将透明导电层加热的工序。

图3是表示非结晶性的透明导电层的表面电阻与氧导入量的关系的图。

图4是表示本发明的带有透明导电性薄膜的物品的一个实施方式的示意图。

图5表示各实施例和各比较例中的霍尔迁移率与蚀刻速率的相关性的示意图。

具体实施方式

透明导电性薄膜