[发明专利]衬底台和处置衬底的方法

说明书

本公开涉及用于光刻的衬底台和处置衬底(W)的方法。在一种布置中，衬底台(WT)包括一个或多个隔膜(8)。致动系统(4)使每个隔膜变形以改变隔膜的一部分的高度。在另一布置中，衬底台包括一个或多个隔膜以及将衬底夹持到衬底台的夹持系统，其中夹持通过将衬底压抵隔膜而使每个隔膜变形。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月21日提交的EP申请20158702.9的优先权，其通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于在光刻过程期间支撑衬底的衬底台以及处置衬底的方法。

背景技术

光刻设备是被构造为在光刻过程中将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程的不断发展，遵循一般称为‘摩尔定律’的趋势，功能元件的尺寸被不断减小，而几十年来每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数量却稳定增加。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。

光刻设备可以包括用于提供辐射的投影束的照明系统以及用于支撑图案形成装置的支撑结构。图案形成装置可以用于在其横截面中向投影束赋予图案。该设备还可以包括用于将图案化束投影到衬底的目标部分上的投影系统。

在光刻设备中，要被曝光的衬底(可以被称为生产衬底)可以被保持在衬底台(有时称为晶片台或衬底保持器)上。衬底台相对于投影系统可能是可移动的。衬底台的面向衬底的表面可以被提供有多个突起(称为突节)。突节的远端表面可以符合平坦平面并且支撑衬底。突节可以提供多个优点：衬底台上或衬底上的污染物颗粒很可能落在突节之间，因此不会导致衬底变形；加工突节使其端部符合平面比使衬底台表面平坦更容易；并且突节的特性可以被调整，例如以控制将衬底夹持到衬底台。

生产衬底可能会由于突节和衬底之间的摩擦力而失真。期望减小这些摩擦力。

发明内容

本发明的一个目的是改进用于光刻的衬底的处置。

根据本发明的一个方面，提供了一种衬底台，被配置为在光刻过程期间支撑衬底，包括：一个或多个隔膜；以及致动系统，被配置为使每个隔膜变形以改变隔膜的一部分的高度。

根据本发明的一个方面，提供了一种衬底台，被配置为在光刻过程期间支撑衬底，包括：一个或多个隔膜，每个隔膜可变形以改变隔膜的一部分的高度；以及用于将衬底夹持到衬底台的夹持系统，其中夹持通过将衬底压抵隔膜而使每个隔膜变形。

根据又一方面，提供了一种处置衬底的方法，包括：将衬底装载到包括一个或多个隔膜的衬底台上；以及在装载衬底期间或之后使一个或多个隔膜中的每个隔膜变形以改变隔膜的一部分的高度。

本发明的其他实施例、特征和优点在下面参照附图详细描述。

附图说明

本发明的实施例现在将仅通过示例参照所附示意图来描述，其中对应的参考符号指示对应的部分，并且其中：

图1示意性地描绘了光刻设备的概述；

图2示意性地描绘了包括突节和致动系统的衬底台；

图3是描绘了突节的示意性侧视图，该突节包括被液压或气动致动为低状态的隔膜；

图4是描绘了图3的突节的示意性侧视图，其中隔膜处于未致动状态；