[发明专利]SOT差分读取器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁记录头，所述磁记录头包括：

第一屏蔽件；

第二屏蔽件；

第一偏置层；

第二偏置层；和

自旋轨道扭矩(SOT)差分读取器，所述SOT差分读取器设置在所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间并且在所述第一偏置层与所述第二偏置层之间，所述SOT差分读取器包括：

第一自由层；

第二自由层；

第一自旋霍尔效应层；

第二自旋霍尔效应层，所述第二自旋霍尔效应层与所述第一偏置层和所述第二偏置层接触；和

一个或多个绝缘层，其中第一绝缘层设置在所述第一自旋霍尔效应层与所述第一偏置层之间，并且第二绝缘层设置在所述第一自旋霍尔效应层与所述第二偏置层之间。

2.根据权利要求1所述的磁记录头，还包括间隙层，其中所述第一自旋霍尔效应层设置在所述第一屏蔽件上，所述第一自由层设置在所述第一自旋霍尔效应层上，所述间隙层设置在所述第一自由层上，所述第二自由层设置在所述间隙层上，并且所述第二自旋霍尔效应层设置在所述第二自由层上。

3.根据权利要求2所述的磁记录头，其中所述磁记录头被配置为接收注入所述第一自旋霍尔效应层中的电流并通过所述第二自旋霍尔效应层输出电流，其中通过所述第二自旋霍尔效应层感应第一自旋霍尔效应电压，并且通过所述第一自旋霍尔效应层感应第二自旋霍尔效应电压。

4.根据权利要求1所述的磁记录头，还包括间隙层，其中所述第一自由层设置在所述第一屏蔽件上，所述第一自旋霍尔效应层设置在所述第一自由层上，所述间隙层设置在所述第一自旋霍尔效应层上，所述第二自旋霍尔效应层设置在所述间隙层上，并且所述第二自由层设置在所述第二自旋霍尔效应层上。

5.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一自旋霍尔效应层的正端子电连接到所述第二自旋霍尔效应层的负端子，并且跨所述第一自旋霍尔效应层的负端子到所述第二自旋霍尔效应层的正端子的电压差是从所述SOT差分读取器层读出的信号。

6.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一偏置层和所述第二偏置层包括硬偏置材料。

7.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一偏置层和所述第二偏置层包括软偏置材料。

8.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一自旋霍尔效应层在跨磁道方向上在面向介质的表面处具有比所述第二自旋霍尔效应层更长的长度，并且其中所述第二屏蔽件是电引线连接。

9.一种磁记录设备，所述磁记录设备包括根据权利要求1所述的磁记录头。

10.一种磁记录头，所述磁记录头包括：

第一屏蔽件；

第二屏蔽件；

自旋轨道扭矩(SOT)差分读取器，所述SOT差分读取器设置在所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间面向介质的表面处，所述SOT差分读取器包括：

第一自由层；

第二自由层；

间隙层；

第一自旋霍尔效应层；和

第二自旋霍尔效应层，其中所述第一自旋霍尔效应层的正端子电连接到所述第二自旋霍尔效应层的正端子，并且从所述SOT差分读取器读出的信号基于跨所述第一自旋霍尔效应层的负端子到所述第二自旋霍尔效应层的负端子的电压差。

11.根据权利要求10所述的磁记录头，其中所述第一自旋霍尔效应层设置在所述第一屏蔽件上，所述第一自由层设置在所述第一自旋霍尔效应层上，所述间隙层设置在所述第一自由层上，所述第二自由层设置在所述间隙层上，并且所述第二自旋霍尔效应层设置在所述第二自由层上，并且其中所述第一自旋霍尔效应层在跨磁道方向上在面向介质的表面处具有比所述第二自旋霍尔效应层更长的长度。