[发明专利]制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法在审
| 申请号： | 202180006687.8 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114730732A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | I·伯特兰;W·施瓦岑贝格;F·阿利伯特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘爱勤;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 用于 射频 应用 绝缘体 上半 导体 衬底 方法 | ||
1.一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
-提供p掺杂半导体供体衬底(1)；
-在所述供体衬底上形成牺牲层(13)；
-通过所述牺牲层(13)注入原子粒种，以在所述供体衬底(1)中形成限定了要转移的半导体薄层(12)的弱化区域(11)；
-在所述注入之后从所述供体衬底(1)去除所述牺牲层(13)；
-提供电阻率大于或等于500Ω.cm的半导体载体衬底(2)；
-在所述载体衬底(2)上形成电绝缘层(20)；
-将所述供体衬底(1)接合到所述载体衬底(2)，所述半导体薄层(12)和所述电绝缘层(20)在接合界面处；
-沿着所述弱化区域(11)分离所述供体衬底(1)，以将所述半导体薄层(12)从所述供体衬底(1)转移到所述载体衬底(2)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成牺牲层(13)的步骤包括：氧化所述供体衬底(1)的材料。
3.根据权利要求1和2中的一项所述的方法，其中，去除所述牺牲层(13)的步骤包括：湿法蚀刻所述层(13)。
4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，去除所述牺牲层(13)的步骤还包括：去除要从所述供体衬底转移的所述薄层(12)的表面部分。
5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其中，所述供体衬底(1)是硼掺杂的供体衬底。
6.根据权利要求1至5中的一项所述的方法，其中，形成电绝缘层(20)的步骤包括在所述载体衬底(2)上沉积氧化物。
7.根据权利要求1至5中的一项所述的方法，其中，形成电绝缘层(20)的步骤包括氧化所述载体衬底(2)。
8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法，其中，所述电绝缘层(20)具有10nm至150nm之间的厚度。
9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法，其中，所转移的半导体层(12)具有4nm至100nm之间的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
