[发明专利]CMP研磨液及研磨方法在审
| 申请号: | 202180006440.6 | 申请日: | 2021-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN114729258A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
| 发明(设计)人: | 小林真悟;南久贵;大塚祐哉;小峰真弓;吴珍娜;高桥寿登 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 杜娟 |
| 地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cmp 研磨 方法 | ||
1.一种CMP研磨液,其含有磨粒和阳离子性聚合物,
所述阳离子性聚合物具有:包含氮原子及碳原子的主链、和键合于所述碳原子的羟基。
2.根据权利要求1所述的CMP研磨液,其中,
所述阳离子性聚合物具备具有所述主链的多种结构单元。
3.根据权利要求1或2所述的CMP研磨液,其中,
所述阳离子性聚合物包括至少包含二甲胺及环氧氯丙烷的原料的反应物。
4.根据权利要求3所述的CMP研磨液,其中,
所述阳离子性聚合物包括至少包含二甲胺、氨及环氧氯丙烷的原料的反应物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP研磨液,其中,
所述阳离子性聚合物的重均分子量为10000~1000000。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的CMP研磨液,其中,
相对于该CMP研磨液100质量份,所述阳离子性聚合物的含量为0.00001~1质量份。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的CMP研磨液,其中,
所述磨粒包含铈系化合物。
8.根据权利要求7所述的CMP研磨液,其中,
所述铈系化合物为氧化铈。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的CMP研磨液,其中,
相对于该CMP研磨液100质量份,所述磨粒的含量为0.01~10质量份。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的CMP研磨液,其还含有选自由含氨基的芳香族化合物及含氮杂环化合物组成的组中的至少一种环状化合物。
11.根据权利要求10所述的CMP研磨液,其中,
所述环状化合物包含所述含氨基的芳香族化合物,
所述含氨基的芳香族化合物包含具有氨基、和选自由羧基及羧酸盐基组成的组中的至少一种作为键合于芳香环的官能团的化合物。
12.根据权利要求10或11所述的CMP研磨液,其中,
所述环状化合物包含所述含氮杂环化合物,
所述含氮杂环化合物包含具有吡啶环的化合物。
13.根据权利要求12所述的CMP研磨液,其中,
所述含氮杂环化合物包含选自由吡啶羧酸、1-(2-吡啶基)-1-乙酮及吡啶-3-羧酰胺组成的组中的至少一种。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的CMP研磨液,其中,
相对于该CMP研磨液100质量份,所述环状化合物的含量为0.001~1质量份。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的CMP研磨液,其中,
pH为8.0以下。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的CMP研磨液,其中,
pH为2.0~5.0。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的CMP研磨液,其用以研磨绝缘材料。
18.根据权利要求17所述的CMP研磨液,其中,
所述绝缘材料包含氧化硅。
19.一种研磨方法,其具备如下工序:使用权利要求1至18中任一项所述的CMP研磨液来研磨被研磨材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工材料株式会社,未经昭和电工材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180006440.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





