[发明专利]单片化方法

权利要求书

1.一种单片化方法，将在上表面形成有多个半导体元件构造的晶片单片化，其特征在于，

依次包括以下工序：

第1工序，将上述晶片的下表面减薄加工；

第2工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成金属层；

第3工序，对上述晶片的上表面的规定区域照射第1激光，将上述晶片和上述金属层切断；以及

第4工序，在上述晶片的平面视图中，对通过上述第3工序而被切断了的切断区域的中心线的两侧的规定范围内的切断邻接区域照射第2激光，并且，在上述晶片的平面视图中，对上述切断区域中包含的切断内区域照射第3激光；

上述第1激光、上述第2激光和上述第3激光以1个激光输出装置为光源；

在上述晶片的平面视图中，上述切断邻接区域包括上述中心线的一侧的第1切断邻接区域和上述中心线的另一侧的第2切断邻接区域；

在上述第4工序中，

向上述第1切断邻接区域照射将从上述1个激光输出装置输出的激光的一部分分支为多个而得到的多个第1照射斑，向上述第2切断邻接区域照射将从上述1个激光输出装置输出的激光的一部分分支为多个而得到的多个第2照射斑，由此实施向上述切断邻接区域的上述第2激光的照射；

向上述切断内区域照射将从上述1个激光输出装置输出的激光的一部分分支为多个而得到的多个第3照射斑，由此实施向上述切断内区域的上述第3激光的照射；

在上述晶片的平面视图中，使上述多个第1照射斑、上述多个第2照射斑和上述多个第3照射斑行进或者使上述晶片行进，以使得上述多个第1照射斑、上述多个第2照射斑和上述多个第3照射斑相对于上述晶片沿着上述切断区域的切断方向相对地行进；

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑和上述多个第2照射斑处于以上述中心线为对称轴的线对称的关系；

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑配置为，与上述中心线的最短距离从上述多个第1照射斑、上述多个第2照射斑和上述多个第3照射斑相对于上述晶片相对地行进的行进方向上的前方朝向后方单调增加；

在上述晶片的平面视图中，上述多个第3照射斑排列在1个以上的直线上。

2.如权利要求1所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑的至少1个位于上述切断区域。

3.如权利要求1或2所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑排列在1条直线上。

4.如权利要求1或2所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑在2个以上的边上排列。

5.如权利要求1～4中任一项所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第3照射斑中的至少1个比上述多个第1照射斑更靠上述行进方向上的前方。

6.如权利要求1～5中任一项所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第1照射斑中的至少1个比上述多个第3照射斑更靠上述行进方向上的前方。

7.如权利要求1～6中任一项所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第3照射斑中的至少1个比上述多个第1照射斑更靠上述行进方向上的后方。

8.如权利要求1～7中任一项所述的单片化方法，其特征在于，

在上述晶片的平面视图中，上述多个第3照射斑排列在2条直线上。