[发明专利]三维存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造三维(3D)存储装置的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的顶表面之上形成层堆叠体；

形成沟道孔，所述沟道孔延伸穿过所述层堆叠体；

在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡层；

在所述阻挡层的表面上形成电荷陷阱层，所述电荷陷阱层的表面区域包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素；

在所述电荷陷阱层的所述表面区域之上形成隧道绝缘层；以及

在所述隧道绝缘层的表面上形成沟道层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电荷陷阱层包括：

在预定温度下形成所述碳区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述碳区域包括：

在包括碳物质和氮物质的环境中，将所述电荷陷阱层的一部分转化成所述碳区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述电荷陷阱层的所述表面区域之上形成所述隧道绝缘层包括：

在所述碳区域和所述隧道绝缘层之间形成界面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述碳区域相对于所述阻挡层靠近所述隧道绝缘层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电荷陷阱层包括氮化硅，并且所述碳区域包括氮化硅和碳元素。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述阻挡层包括氧化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述隧道绝缘层包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电荷陷阱层包括：

在所述阻挡层的所述表面上连续形成多个层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述层堆叠体包括交替堆叠的导体层和电介质层。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

穿过所述层堆叠体形成栅极线缝隙结构以将多个存储单元分离。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

修整所述层堆叠体以形成阶梯结构。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述沟道层之后，用电介质材料填充所述沟道孔。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底和所述层堆叠体之间形成半导体层并将所述半导体层连接到所述沟道层。

15.一种三维(3D)存储装置，包括：

衬底；

层堆叠体，形成在所述衬底之上；

沟道层，延伸穿过所述层堆叠体；以及

功能层，延伸穿过所述层堆叠体并形成在所述沟道层和所述层堆叠体之间，所述功能层包括阻挡层、电荷陷阱层和隧道绝缘层，所述电荷陷阱层包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素。

16.根据权利要求15所述的3D存储装置，还包括：

处于所述隧道绝缘层和所述电荷陷阱层的所述碳区域之间的界面。

17.根据权利要求15所述的3D存储装置，其中：

所述电荷陷阱层的所述碳区域相对于所述阻挡层靠近所述隧道绝缘层。

18.根据权利要求17所述的3D存储装置，其中，所述电荷陷阱层还包括：

与所述碳区域相邻并且比所述碳区域厚的区域。