[发明专利]焊料接合不良抑制剂、焊剂和焊膏

说明书

提供一种可抑制接合不良产生的焊料接合不良抑制剂、焊剂和焊膏。本发明的焊剂包含基体树脂、活化剂、触变剂、溶剂和焊料接合不良抑制剂，所述焊料接合不良抑制剂是包含下述化学式(11)表示的化合物的焊料接合不良抑制剂：在所述化学式(11)中，R⁹和R¹⁰分别独立地是碳原子数为1～18的饱和或不饱和直链、支链或环状烷基，R¹¹和R¹²分别独立地是羧基，或R¹¹和R¹²也可以交联形成羧酸酐基。

技术领域

本发明涉及一种焊料接合不良抑制剂、焊剂和焊膏。

背景技术

近年，随着电子器械的轻簿化和小型化，BGA(球栅阵列，Ball Grid Array)等半导体封装被使用(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008-71779号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，BGA等半导体封装因为在封装中使用多种材质，由于热膨胀系数不同，半导体封装发生弯曲。另外，由于半导体封装的轻薄化，封装的弯曲量变大。因此，焊料块和焊膏从基板脱离，焊盘(焊接部分)不会进行通过焊剂进行的氧化去除，而在焊盘表面留下氧化膜。另外，即使焊膏和基板再次接触，焊剂的活性(润湿性)也由于热而降低，因此同样地，通过焊剂进行的氧化去除也并不充分。因此，会产生电子部件与基板不接合，接合不良的问题。

因此，本发明的目的是提供一种可抑制接合不良的发生的焊料接合不良抑制剂、焊剂和焊膏。

解决课题的方法

为达成上述目的，本发明的焊料接合不良抑制剂(下文也称为“抑制剂”)包含下述化学式(11)表示的化合物：

[化11]

在所述化学式(11)中，

R⁹和R¹⁰分别独立地是碳原子数为1～18的饱和或不饱和直链、支链或环状烷基，

R¹¹和R¹²分别独立地是羧基，

或R¹¹和R¹²也可以交联形成羧酸酐基。

本发明的焊剂包含基体树脂、活化剂、触变剂、溶剂和焊料接合不良抑制剂，

所述焊料接合不良抑制剂是所述本发明的焊料接合不良抑制剂。

本发明的焊膏包含焊剂和焊料粉末，所述焊剂是所述本发明的焊剂。

发明的效果

通过本发明，可抑制焊料接合不良的发生。

具体实施方式

焊料接合不良抑制剂

本发明的焊料接合不良抑制剂包含下述化学式(11)的化合物。

[化11]

在所述化学式(11)中，

R⁹和R¹⁰分别独立地是碳原子数为1～18的饱和或不饱和直链、支链或环状烷基，

R¹¹和R¹²分别独立地是羧基，