[发明专利]三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法

说明书

一种具有面的存储器件的编程方法包括：接收编程命令；获得与该编程命令相关联的地址；根据该地址确定面中的第一面；以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，并且具体而言涉及三维(3D)存储器件和页寄存器复位的方法。

背景技术

与非(NAND)存储器是一种不需要电力来保持所存储的数据的非易失性类型的存储器。对消费电子品、云计算和大数据的不断增长的需求带来了对更大容量、更高性能的NAND存储器的持续需求。由于常规的二维(2D)NAND存储器接近了其物理极限，所以现在三维(3D)NAND存储器正在发挥重要作用。3D NAND存储器使用单个管芯上的多个堆叠层来实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗以及更好的成本效率。

在数据被写入到3D NAND存储器件中之前，多个页寄存器被复位或清空。寄存器复位过程可能引起峰值功率、总功率和功率噪声的增加。所公开的方法涉及解决上文阐述的一个或多个问题以及其他问题。

发明内容

在本公开的一个方面中，一种具有面的存储器件的编程方法包括：接收用于存储器件的编程命令；获得与编程命令相关联的地址；根据地址确定面中的第一面；以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。

在本公开的另一方面中，一种存储器件包括：包括面的一个或多个逻辑单元(LUN)；分别对应于面的页寄存器；以及用于执行命令的控制器。该控制器被配置为：接收用于存储器件的编程命令；获得与编程命令相关联的地址；根据地址确定面中的第一面；以及使页寄存器中的对应于第一面的页寄存器复位而不使页寄存器中的一个或多个其余页寄存器复位。

在本公开的另一方面中，一种具有面的存储器件的方法包括：接收用于存储器件的编程命令；获得与编程命令相关联的地址；根据地址确定面中的用于寄存器复位的第一面；以及保持面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器的状态。

在本公开的又一方面中，一种存储器件包括面和用于使面复位的复位电路。该复位电路被配置为获得基于地址的用于面的复位的第一控制信号，并且根据第一控制信号使面中的第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。

领域技术人员根据本公开的说明书、权利要求和附图能够理解本公开的其他方面。

附图说明

图1示出了根据本公开的各种实施例的示例性三维(3D)存储器件的截面图；

图2示出了根据本公开的各种实施例的3D存储器件的块图；

图3示出了根据本公开的各种实施例的3D阵列器件的构造的顶视图；

图4和图5示出了根据本公开的各种实施例的在示例性制作工艺中的特定阶段处的图3中所示的3D阵列器件的一部分的顶视图和截面图；

图6和图7示出了根据本公开的各种实施例的在示例性制作工艺中的特定阶段处的图4和图5中所示的3D阵列器件的部分的截面图；

图8示出了根据本公开的各种实施例的示例性外围器件的截面图；

图9示出了根据本公开的各种实施例的图6中所示的3D阵列器件与图7中所示的外围器件接合之后的示例性3D存储器件的截面图；

图10示出了根据本公开的各种实施例的图9中所示的3D存储器件的组织图；

图11示出了根据本公开的各种实施例的图10中所示的3D存储器件的写入操作的时序图；

图12示出了表示根据本公开的各个方面的执行3D存储器件处的页寄存器复位的方法的示意性流程图；

图13A和13B示出了根据本公开的各个方面的示例性实施方式块图；并且