[实用新型]一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构

权利要求书

1.一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，包括A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路、C相半桥逆变电路、A相逆变电感L1、B相逆变电感L2、C相逆变电感L3及控制器，所述A相半桥逆变电路、所述B相半桥逆变电路、所述C相半桥逆变电路的输入端均并联在直流母线DC+/DC-两端，所述A相半桥逆变电路的输出端经过所述A相逆变电感L1后与负载端连接，所述B相半桥逆变电路的输出端经过所述B相逆变电感L2后与所述负载端连接，所述C相半桥逆变电路的输出端经过所述C相逆变电感L3后与所述负载端连接，所述A相半桥逆变电路、所述B相半桥逆变电路及所述C相半桥逆变电路的控制端与所述控制器连接。

2.根据权利要求1所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述A相半桥逆变电路包括A相半桥逆变管Q1和A相半桥逆变管Q2，所述A相半桥逆变管Q1的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述A相半桥逆变管Q2的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述A相半桥逆变管Q1的发射极和所述A相半桥逆变管Q2的集电极经过所述A相逆变电感L1后与所述负载端连接，所述A相半桥逆变管Q1和所述A相半桥逆变管Q2的栅极与所述控制器连接。

3.根据权利要求2所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述A相半桥逆变管Q1和所述A相半桥逆变管Q2为IGBT。

4.根据权利要求1所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述B相半桥逆变电路包括B相半桥逆变管Q3和B相半桥逆变管Q4，所述B相半桥逆变管Q3的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述B相半桥逆变管Q4的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述B相半桥逆变管Q3的发射极和所述B相半桥逆变管Q4的集电极经过所述B相逆变电感L2后与所述负载端连接，所述B相半桥逆变管Q3和所述B相半桥逆变管Q4的栅极与所述控制器连接。

5.根据权利要求4所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述B相半桥逆变管Q3和所述B相半桥逆变管Q4为IGBT。

6.根据权利要求1所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述C相半桥逆变电路包括C相半桥逆变管Q5和C相半桥逆变管Q6，所述C相半桥逆变管Q5的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述C相半桥逆变管Q6的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述C相半桥逆变管Q5的发射极和所述C相半桥逆变管Q6的集电极经过所述C相逆变电感L3后与所述负载端连接，所述C相半桥逆变管Q5和所述C相半桥逆变管Q6的栅极与所述控制器连接。

7.根据权利要求6所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述C相半桥逆变管Q5和所述C相半桥逆变管Q6为IGBT。

8.根据权利要求1所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，还包括输入电容电路，所述A相逆变电感L1、所述B相逆变电感L2及所述C相逆变电感L3的输出端与所述输入电容电路连接后接到所述负载端。

9.根据权利要求8所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述输入电容电路包括逆变电容C1、逆变电容C2及逆变电容C3，所述逆变电容C1的一端分别与所述A相逆变电感L1、所述B相逆变电感L2及所述C相逆变电感L3的输出端连接，所述逆变电容C1的另一端分别与所述逆变电容C2和所述逆变电容C3的一端连接，所述逆变电容C2的另一端与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述逆变电容C3的另一端与所述直流母线DC+/DC-的负极连接。

10.根据权利要求1所述的新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，其特征在于，所述A相半桥逆变电路、所述B相半桥逆变电路及所述C相半桥逆变电路的电路结构相同，且各自的桥臂驱动信号的载波相差120°。