[实用新型]一种芯片烧录装置

权利要求书

1.一种芯片烧录装置，其特征在于，包括DC电源(1)、MCU系统电路(2)、DC-DC转换电路(3)、LDO电路(4)、外置flash电路(5)、LCD控制电路(6)、烧录电平转换控制片选电路(7)、烧录通信电路(8)、烧录反馈隔离控制电路(9)和按键控制电路(10)；

所述的DC电源(1)分别与LDO电路(4)、DC-DC转换电路(3)和烧录电平转换控制片选电路(7)电性连接；

所述的DC-DC转换电路(3)分别与烧录通信电路(8)和烧录反馈隔离控制电路(9)电性连接；

所述的LDO电路(4)分别与外置flash电路(5)和LCD控制电路(6)电性连接；

所述的MCU系统电路(2)分别与外置flash电路(5)、LCD控制电路(6)、烧录电平转换控制片选电路(7)、烧录通信电路(8)、烧录反馈隔离控制电路(9)和按键控制电路(10)电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的烧录电平转换控制片选电路(7)的数量为多个，所述的烧录电平转换控制片选电路(7)的数量、烧录反馈隔离控制电路(9)的数量和按键控制电路(10)的数量相同。

3.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的烧录电平转换控制片选电路(7)包括三极管Q10和MOS管Q23，所述的三极管Q10的基极与MCU系统电路(2)连接，发射极接地，集电极与Q23的G极连接，所述的Q23的S极与DC电源(1)连接，D极与MCU系统电路(2)连接。

4.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的烧录反馈隔离控制电路(9)包括三极管Q32和光耦隔离器，所述的Q32的基极与MCU系统电路(2)连接，集电极与光耦隔离器的发射端负极连接，发射极接地，所述的光耦隔离器的发射端正极与DC-DC转换电路(3)连接，接收端集电极与DC-DC转换电路(3)连接，接收端发射极接VSS。

5.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的MCU系统电路(2)包括MCU。

6.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的外置flash电路(5)包括flash芯片，所述的flash芯片与MCU系统电路(2)电性连接。

7.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的LCD控制电路(6)包括LCD，所述的LCD与MCU系统电路(2)电性连接。

8.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的烧录通信电路(8)为IIC接口及滤波电路。

9.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的按键控制电路(10)包括按键，所述的按键与MCU系统电路(2)电性连接。

10.根据权利要求1所述的一种芯片烧录装置，其特征在于，所述的烧录装置还包括USB接口(11)，所述的USB接口(11)分别与DC-DC转换电路(3)和MCU系统电路(2)电性连接。