[实用新型]一种低应力红外探测器杜瓦冷头结构有效

专利信息
申请号: 202123176295.2 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN217520597U 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 胡明灯;周永强;吴建乐;金鑫;熊雄;毛剑宏 申请(专利权)人: 浙江珏芯微电子有限公司
主分类号: G01J5/02 分类号: G01J5/02;G01J5/20
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 林志豪
地址: 323000 浙江省丽水市莲都*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 应力 红外探测器 杜瓦冷头 结构
【权利要求书】:

1.一种低应力红外探测器杜瓦冷头结构,包括:依次设置的探测器芯片组、陶瓷基板、冷台和冷指气缸,其特征在于,还包括:平衡层,所述平衡层设于所述陶瓷基板和所述冷台之间,所述平衡层具备与所述陶瓷基板相连接的陶瓷基板安装面、以及与所述冷台相连接的冷台连接面。

2.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述平衡层包括相互连接的第一连接结构和第二连接结构,所述第一连接结构背对于所述第二连接结构的表面形成所述陶瓷基板安装面,所述第二连接结构背对于所述第一连接结构的表面形成所述冷台连接面。

3.根据权利要求2所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述平衡层为二级台阶式结构,所述第一连接结构为直径较大的板状结构,所述第二连接结构为直径较小的板状结构。

4.根据权利要求2所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述第一连接结构为圆形板状结构,所述第二连接结构为圆台结构。

5.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述陶瓷基板安装面为方形或圆形;所述冷台连接面为方形或圆形。

6.根据权利要求2所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述第一连接结构的高度为0-1.5mm。

7.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述平衡层的高度为0.3-2.5mm。

8.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述陶瓷基板安装面的直径为4-55mm。

9.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,所述冷台连接面的直径为3-25mm。

10.根据权利要求1所述的低应力红外探测器杜瓦冷头结构,其特征在于,平衡层的材质采用AlN、4J32、4J36、或Si3N4。

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