[实用新型]量子电路、量子芯片及量子器件有效
| 申请号： | 202123109324.3 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN216698426U | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨晖;陆瑞;李业 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/02;H01L39/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 电路 芯片 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种量子电路，包括第一超导元件、第二超导元件和约瑟夫森结，其特征在于，所述约瑟夫森结包括：
第一电极(2)；
与第一电极(2)一体成型的第一连接层(5)，所述第一连接层(5)用于与所述第一超导元件电连接；
位于第一电极(2)上的势垒层(22)；
第二电极(4)，所述第二电极(4)与所述势垒层(22)交叠以形成所述约瑟夫森结；
与第二电极(4)一体成型的第二连接层(6)，所述第二连接层(6)用于与所述第二超导元件电连接。
2.根据权利要求1所述的量子电路，其特征在于，还包括与所述第一连接层(5)层叠的第一辅助连接层(7)，所述第一辅助连接层(7)与所述第一连接层(5)电连接。
3.根据权利要求2所述的量子电路，其特征在于，还包括与所述第二连接层(6)层叠的第二辅助连接层(8)，所述第二辅助连接层(8)与所述第二连接层(6)电连接。
4.根据权利要求1所述的量子电路，其特征在于，所述势垒层(22)为所述第一电极(2)表面的氧化层。
5.根据权利要求4所述的量子电路，其特征在于，所述氧化层的厚度为2－4nm。
6.一种量子芯片，其特征在于，包括如权利要求1－5任一项所述的量子电路。
7.一种量子器件，其特征在于，包括如权利要求6所述的量子芯片。
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