[实用新型]一种自适应偏置电路

说明书

本实用新型属于射频技术领域，公开了一种自适应偏置电路，包括：第一模块、公共模块、第二模块和射频放大模块；所述第一模块和公共模块组成整流模块，所述公共模块和第二模块组成镜像电流源模块，所述第二模块和射频放大模块连接；所述整流模块用于为所述射频放大模块提供自适应的偏置电流。本实用新型的整流模块提供自适应的偏置电流，可以提高整流效果，优化射频放大模块中晶体管的线性度。

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，特别是涉及一种自适应偏置电路。

背景技术

目前，由于GaAs HBT工艺的偏置电路选取对功率放大器的效率、P1dB和线性度至关重要，为了在这几个指标中取得较好的效果，目前主要方法是HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化(整流)，构造一个电流源来直接驱动射频放大管。

但是现有的解决方案HBT整流的功率范围较窄，且在功率回退较少时的整流效果差。

实用新型内容

本实用新型的目的是：对现有的偏置电路进行改进，拓宽整流的功率带宽，改善功率回退较少时的整流效果。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种自适应偏置电路，包括：第一模块、公共模块、第二模块和射频放大模块。

所述第二模块、公共模块、第一模块和射频放大模块依次连接；

所述第一模块和公共模块连接构成整流模块，所述整流模块用于为所述射频放大模块提供自适应的偏置电流；

所述公共模块和第二模块连接构成镜像电流源模块，所述镜像电流源模块用于为整流模块供电。

进一步的，所述第一模块包括第一晶体管和第一电容；

所述第一晶体管的第一端和射频放大模块的第一端口连接，所述第一晶体管的第二端口和射频放大模块的第二端口连接，所述第一晶体管的第三端口和第一电容的第一端口连接，所述第一电容的第二端口接地；所述第一晶体管的第一端口和所述公共模块的第一端口连接，所述第一晶体管的第三端口和公共模块的第二端口连接。

进一步的，所述第一模块还包括第二电容，所述第二电容的第一端口和第一晶体管的第二端口连接，所述第二电容的第二端口接地。

进一步的，所述第一模块还包括第一电感，所述第一电感的第一端口和第一晶体管的第一端口连接，第一电感的第二端口和射频放大模块的第一端口连接。

进一步的，所述第一晶体管为HBT晶体管。

进一步的，所述公共模块包括第一电阻、第二晶体管、第二电阻和第三晶体管；

所述第一电阻的第一端口连接与所述公共模块的第一端口连接，第一电阻的第二端口与第二晶体管的第一端口连接，第二晶体管的第二端口和第二电阻的第一端口连接，第二晶体管的第三端口和第二模块的第一端口连接，第二晶体管的第三端口和公共模块的第二端口连接，第二电阻的第二端口和第三晶体管的第三端口连接，第三晶体管的第一端口和第二模块的第二端口连接，第三晶体管的第二端口接地。

进一步的，所述公共模块还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端口和第三晶体管的第二端口连接，所述第三电阻的第二端口接地。

进一步的，所述第二模块包括第四晶体管、第四电阻、第五电阻和第一电源，所述第四晶体管的第三端口和第二模块的第一端口连接，第四晶体管的第一端口和第四电阻的第一端口连接，第四晶体管的第二端口和第二模块的第二端口连接，第四晶体管的第二端口和第五电阻的第一端口连接，第五电阻的第二端口和第四电阻的第二端口连接，第五电阻的第二端口和第一电源的第一端口连接，第一电源的第二端口接地。

进一步的，所述射频放大模块包括射频输入端口、第三电容、第五晶体管、第六电阻、第四电容、射频输出端口、第二电感和第二电源；