[实用新型]一种自适应偏置电路

权利要求书

1.一种自适应偏置电路，其特征在于，包括：第一模块、公共模块、第二模块和射频放大模块；

所述第二模块、公共模块、第一模块和射频放大模块依次连接；

所述第一模块和公共模块连接构成整流模块，所述整流模块用于为所述射频放大模块提供自适应的偏置电流；

所述公共模块和第二模块连接构成镜像电流源模块，所述镜像电流源模块用于为整流模块供电。

2.根据权利要求1所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第一模块包括第一晶体管和第一电容；

所述第一晶体管的第一端和射频放大模块的第一端口连接，所述第一晶体管的第二端口和射频放大模块的第二端口连接，所述第一晶体管的第三端口和第一电容的第一端口连接，所述第一电容的第二端口接地；所述第一晶体管的第一端口和所述公共模块的第一端口连接，所述第一晶体管的第三端口和公共模块的第二端口连接。

3.根据权利要求2所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第一模块还包括第二电容，所述第二电容的第一端口和第一晶体管的第二端口连接，所述第二电容的第二端口接地。

4.根据权利要求2所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第一模块还包括第一电感，所述第一电感的第一端口和第一晶体管的第一端口连接，第一电感的第二端口和射频放大模块的第一端口连接。

5.根据权利要求2所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第一晶体管为HBT晶体管。

6.根据权利要求1所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述公共模块包括第一电阻、第二晶体管、第二电阻和第三晶体管；

所述第一电阻的第一端口连接与所述公共模块的第一端口连接，第一电阻的第二端口与第二晶体管的第一端口连接，第二晶体管的第二端口和第二电阻的第一端口连接，第二晶体管的第三端口和第二模块的第一端口连接，第二晶体管的第三端口和公共模块的第二端口连接，第二电阻的第二端口和第三晶体管的第三端口连接，第三晶体管的第一端口和第二模块的第二端口连接，第三晶体管的第二端口接地。

7.根据权利要求6所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述公共模块还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端口和第三晶体管的第二端口连接，所述第三电阻的第二端口接地。

8.根据权利要求1所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第二模块包括第四晶体管、第四电阻、第五电阻和第一电源，所述第四晶体管的第三端口和第二模块的第一端口连接，第四晶体管的第一端口和第四电阻的第一端口连接，第四晶体管的第二端口和第二模块的第二端口连接，第四晶体管的第二端口和第五电阻的第一端口连接，第五电阻的第二端口和第四电阻的第二端口连接，第五电阻的第二端口和第一电源的第一端口连接，第一电源的第二端口接地。

9.根据权利要求1所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述射频放大模块包括射频输入端口、第三电容、第五晶体管、第六电阻、第四电容、射频输出端口、第二电感和第二电源；

所述射频输入端口和第三电容的第一端口连接，第三电容的第二端口和第六电阻的第一端口连接，第六电阻的第二端口和射频放大模块的第二端口连接，第三电容的第二端口和第五晶体管的第三端口连接，第五晶体管的第一端口和射频放大模块的第一端口连接，第五晶体管的第一端口和第四电容的第一端口连接，第四电容的第二端口和射频输出端口连接，第五晶体管的第一端口和第二电感的第一端口连接，第二电感的第二端口和第二电源的第一端口连接，第二电源的第二端口接地，第五晶体管的第二端口接地。

10.根据权利要求9所述的一种自适应偏置电路，其特征在于，所述第五晶体管为HBT晶体管。