[实用新型]一种防倒灌半桥次级驱动电路

权利要求书

1.一种防倒灌半桥次级驱动电路，包括半桥次级变压器绕组T1、隔离驱动单元，半桥次级变压器绕组T1的中间抽头通过电阻R7引出输出端OUT+，其特征在于，其异名端与同名端分别连接有第一电压检测单元、第二电压检测单元，第一、第二电压检测单元的输出端分别连接所述隔离驱动单元的第一输入端与第二输入端；所述半桥次级变压器绕组T1的异名端与隔离驱动单元的第一输出端之间连接有第一功率单元，同名端与隔离驱动单元的第二输出端之间连接有第二功率单元；所述第一、第二电压检测单元的输出均为高电平时，所述第一功率单元与第二功率单元关断。

2.根据权利要求1所述的一种防倒灌半桥次级驱动电路，其特征在于，所述隔离驱动单元包括驱动器U1与隔离驱动电路，隔离驱动电路连接驱动器U1的第一使能端ENA与第二使能端ENB。

3.根据权利要求2所述的一种防倒灌半桥次级驱动电路，其特征在于，所述第一电压检测单元与第二电压检测单元结构相同。

4.根据权利要求3所述的一种防倒灌半桥次级驱动电路，其特征在于，所述第一电压检测单元包括电阻R1、R2，电阻R1的第一端连接在半桥次级变压器绕组T1的异名端，第二端连接电阻R2的第一端以及驱动器U1的第一输入端INA，电阻R2的第二端接输出地；所述第二电压检测单元包括电阻R3、R4，电阻R3的第一端连接在半桥次级变压器绕组T1的同名端，第二端连接电阻R4的第一端以及驱动器U1的第二输入端INB，电阻R4的第二端接输出地。

5.根据权利要求2或3或4所述的一种防倒灌半桥次级驱动电路，其特征在于，所述第一功率单元与第二功率单元结构相同。

6.根据权利要求5所述的一种防倒灌半桥次级驱动电路，其特征在于，所述第一功率单元包括功率MOS管Q1与电阻R5，所述功率MOS管Q1的漏极连接半桥次级变压器绕组T1的异名端，栅极连接电阻R5的第一端以及驱动器U1的第一输出端OUTA，源极以及电阻R5的第二输出端接输出地；所述第二功率单元包括功率MOS管Q2与电阻R6，所述功率MOS管Q2的漏极连接半桥次级变压器绕组T1的同名端，栅极连接电阻R6的第一端以及驱动器U1的第二输出端OUTB，源极以及电阻R6的第二输出端接输出地。