[实用新型]提高金属氧化物场效应管电流测量精度的电路

权利要求书

1.电子设备的电流测量电路，包括一个或多个开关、具有指定阻值的第一电阻、具有指定阻值的第二电阻与电源管理集成电路；

所述一个或多个开关与所述第二电阻串联；

所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的第一端耦合到所述电子设备的电源输入引脚与所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端耦合所述电源管理集成电路的第一电压测量引脚；

所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的第二端耦合到所述电源管理集成电路的第二电压测量引脚；

所述的电流测量电路，还包括临近于所述一个或多个开关而设置的温度传感器，所述电源管理集成电路耦合到所述温度传感器以获得所述温度传感器测量的温度。

2.根据权利要求1所述的电流测量电路，其中所述电源管理集成电路通过所述第一电压测量引脚与所述第二电压测量引脚测量所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的第一端与第二端之间的电压。

3.根据权利要求2所述的电流测量电路，其中所述一个或多个开关各自是MOSFET，所述开关的控制端是所述MOSFET的栅极。

4.根据权利要求3所述的电流测量电路，其中所述第二电阻的阻值同所述MOSFET的导通电阻RDSon的阻值接近，其差值小于指定阈值；

所述第一电阻的阻值远大于所述MOSFET的导通电阻RDSon的阻值。

5.根据权利要求4所述的电流测量电路，其中流经所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的电流是所述电子设备的工作电流，所述电源管理集成电路为所述电子设备的负载供电，所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的第二端耦合不直接耦合所述负载。

6.根据权利要求5所述的电流测量电路，其中所述电源管理集成电路通过所述第一电压测量引脚与所述第二电压测量引脚测量电压ΔV，通过温度传感器测量温度T，获取记录的参数k与温度T0时所述一个或多个开关的导通电阻的阻值RDSon(T0)，以及所述第二电阻的阻值Rs，计算所述温度T时所述一个或多个开关的导通电阻的阻值RDSon(T)，以及根据电压ΔV除以所述温度T时所述一个或多个开关的导通电阻的阻值RDSon(T)与所述第二电阻的阻值Rs的和来得到流经所述串联的一个或多个开关与所述第二电阻的电流。

7.根据权利要求6所述的电流测量电路，还包括：扩展卡，所述扩展卡耦合所述电子设备的接口；所述扩展卡通过所述电子设备的接口向所述电子设备的电源输入引脚提供电力；

所述扩展卡还包括电流测量单元，所述电流测量单元测量通过所述电子设备的接口向所述电子设备的电源输入引脚提供电力的电流；

所述扩展卡通过所述电子设备的接口向所述电子设备的电源输入引脚提供电力使得所述电子设备工作在一种或多种功耗稳定的状态。

8.根据权利要求7所述的电流测量电路，其中根据所述电子设备测量的温度、所述电源管理集成电路通过所述第一电压测量引脚与所述第二电压测量引脚测量电压ΔV与所述扩展卡的电流测量单元测量的电流，计算在温度T0时所述一个或多个开关的导通电阻的阻值，以及用于所述一个或多个开关的导通电阻的参数k。

9.根据权利要求8所述的电流测量电路，其中所述电子设备还包括NVM芯片与DRAM，所述电源管理集成电路还耦合到所述NVM芯片与所述DRAM，并为所述NVM芯片与所述DRAM提供电力。