[实用新型]晶圆吸附装置有效
| 申请号: | 202122735622.7 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN216288362U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 吴国明;王彭 | 申请(专利权)人: | 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 | 代理人: | 金京 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆吸附装置,包括:装置本体,所述装置本体开设有气孔,所述装置本体内部开设有与所述气孔连通的气体流通单元,所述装置本体上远离所述气孔的第一端开设有中心位于同一圆周上的第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔,所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的半径介于30mm‑40mm之间;所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔周围均设置有吸盘,所述吸盘的延伸方向与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的圆周重合。本实用新型可以对4寸、5寸、6寸和8寸晶圆进行吸附,消除由于减小各个吸附孔带来的吸附效果不佳的问题,使得晶圆吸附装置可以运用到对小尺寸晶圆进行移动的设备上,使得适用性提高。
技术领域
本实用新型涉及了晶圆移动领域,具体的是一种晶圆吸附装置。
背景技术
晶圆吸附装置是一种用于对晶圆吸附并能将晶圆移动至目标位置的装置。如图4为现有技术中的晶圆吸附装置,其包括装置本体,设置在装置本体上的气孔和三个吸附孔。由于在实际吸取过程中,三个吸附孔直接与晶圆接触,导致三个吸附孔之间需要保持较大距离,才能满足对于晶圆产生较好的吸附效果。在满足三个吸附孔之间距离的前提下,吸附装置一般只能用于吸附12寸的晶圆,而对于更小的如4、5、6、8寸的晶圆,便无法吸取,从而导致存在适用性不高的问题。
实用新型内容
为了克服现有技术中的缺陷,本实用新型实施例提供了一种晶圆吸附装置,其用于解决上述适用性不高问题。
本申请实施例公开了:一种晶圆吸附装置,包括:装置本体,所述装置本体开设有气孔,所述装置本体内部开设有与所述气孔连通的气体流通单元,所述装置本体上远离所述气孔的第一端开设有中心位于同一圆周上的第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔,所述气体流通单元与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔连通,所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的半径介于30mm-40mm之间;所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔周围均设置有吸盘,所述吸盘的延伸方向与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的圆周重合。
进一步地,所述气体流通单元包括与所述气孔连通的主气道、与所述主气道连通的第一副气道、第二副气道和与所述第二副气道连通的第三副气道,所述第一副气道与所述第一吸附孔连通,所述第二副气道与所述第二吸附孔连通,所述第三副气道与所述第三吸附孔连通。
进一步地,所述主气道和所述第一副气道均沿第一方向延伸,所述第二副气道与所述第一副气道之间夹角为26.55°,所述第三副气道沿所述第一方向延伸。
进一步地,所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的半径为32.5mm。
进一步地,所述第一吸附孔和所述第二吸附孔均位于所述吸盘的一端,所述第三吸附孔位于所述吸盘的中心,所述吸盘的两端分别与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的圆心之间的距离形成的两条线之间的角度为23.43°。
进一步地,所述气孔位于所述装置本体远离所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔的第二端,所述装置本体在第二端开设有固定通孔,所述装置本体通过所述固定通孔与机械臂固定连接。
进一步地,所述装置本体包括第一本体和沿第一方向延伸的第二本体,所述第一端位于所述第一本体,所述第二端位于所述第二本体,部分的所述第二本体自第二端向第一端延伸的过程中逐渐变窄。
进一步地,所述装置本体上设置有多条须刻线,每条所述须刻线所在圆的圆心与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的圆心相同。
进一步地,包括4条须刻线,其所在圆的半径分别为50mm、62.5mm、75mm和100mm。
本实用新型的有益效果如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





