[实用新型]水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置

说明书

本实用新型公开了水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管，主喷射管的外侧安装有压力表，主喷射管的进水端连接有脉冲阻尼器，脉冲阻尼器的进水端连接有分流端口，分流端口的进水端连接有进水软管，主喷射管的外侧套接有固定环，固定环的外侧连接有连接杆，连接杆的一端转动连接有喷头夹盘，喷头夹盘的内侧开设有卡接槽，卡接槽的内侧嵌入有喷头，通过将限位螺帽拧松，在连接杆的外侧快速的转动喷头夹盘，将需要使用的喷头拧紧到螺纹连接槽的内侧，从而完成替换，替换过程简单方便，从而可以使不同的待蚀刻物使用合适规格的喷头进行水射辅助，不仅提高了工作效率，更加提升了激光蚀刻的成功率。

技术领域

本实用新型涉及水射辅助技术领域，具体为水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置。

背景技术

随着材料工程学的发展，难加工材料逐渐成为机械加工领域的重点研究对象，这些领域有的需要在材料表面刻圆槽，有的需要在其表面蚀圆孔，但是由于这些材料的高硬脆性，一般采用激光刻蚀，激光刻蚀技术作为激光加工技术中常用的一种，它使得激光刻蚀难加工材料变成了现实，在激光刻蚀时会采用水射辅助以确保加工的成功率；

但是现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换，导致在进行不同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果，从而降低了刻蚀的成功率，为避免上述技术问题，确有必要提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置以克服现有技术中的所述缺陷。

实用新型内容

本实用新型提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，可以有效解决上述背景技术中提出的现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换，导致在进行不同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果，从而降低了刻蚀的成功率的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管，所述主喷射管的外侧安装有压力表，所述主喷射管的进水端连接有脉冲阻尼器，所述脉冲阻尼器的顶端安装有脉冲压力表，所述脉冲阻尼器的进水端连接有分流端口，所述分流端口的一端安装有柱塞泵，所述分流端口的进水端连接有进水软管；

所述主喷射管的外侧套接有固定环，所述固定环的外侧连接有连接杆，所述连接杆的一端转动连接有喷头夹盘，所述喷头夹盘的内侧开设有卡接槽，所述卡接槽的内侧嵌入有喷头，所述喷头的外侧套接有限位环，所述喷头的一端外侧套接有限位螺帽。

优选的，所述卡接槽开设有若干个，若干个卡接槽等角度开设在喷头夹盘的内侧，所述限位环的外径是卡接槽内径的1.5倍。

优选的，所述喷头夹盘的内侧中部与连接杆对应位置处开设有活动孔，所述喷头夹盘通过活动孔与连接杆转动连接。

优选的，所述喷头的外侧开设有螺纹，所述喷头通过螺纹与螺纹连接槽相连接，所述进水软管与外部水源相连接，所述柱塞泵的输入端与外部电源的输出端电性连接。

优选的，所述主喷射管的外侧套接有安装环，所述安装环的外侧焊接有弧形杆，所述弧形杆的内侧开设有滑动槽，所述弧形杆的一侧设置有支撑板，所述支撑板的一侧端面与滑动槽对应位置处安装有夹紧螺杆，所述夹紧螺杆的外侧螺纹连接有夹紧螺帽，所述支撑板的底端焊接有支撑底座。

优选的，所述安装环设置有两个，两个安装环等距安装在主喷射管的外侧。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型结构科学合理，使用安全方便：

1、设置有螺纹连接槽、固定环、连接杆、喷头夹盘、卡接槽、喷头、限位环和限位螺帽，通过将限位螺帽拧松，在连接杆的外侧快速的转动喷头夹盘，将需要使用的喷头拧紧到螺纹连接槽的内侧，从而完成替换，替换过程简单方便，从而可以使不同的待蚀刻物使用合适规格的喷头进行水射辅助，不仅提高了工作效率，更加提升了激光蚀刻的成功率。