[实用新型]水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置

权利要求书

1.水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管（1），其特征在于：所述主喷射管（1）的外侧安装有压力表（2），所述主喷射管（1）的进水端连接有脉冲阻尼器（3），所述脉冲阻尼器（3）的顶端安装有脉冲压力表（4），所述脉冲阻尼器（3）的进水端连接有分流端口（5），所述分流端口（5）的一端安装有柱塞泵（6），所述分流端口（5）的进水端连接有进水软管（7）；

所述主喷射管（1）的外侧套接有固定环（9），所述固定环（9）的外侧连接有连接杆（10），所述连接杆（10）的一端转动连接有喷头夹盘（11），所述喷头夹盘（11）的内侧开设有卡接槽（12），所述卡接槽（12）的内侧嵌入有喷头（13），所述喷头（13）的外侧套接有限位环（14），所述喷头（13）的一端外侧套接有限位螺帽（15）。

2.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述卡接槽（12）开设有若干个，若干个卡接槽（12）等角度开设在喷头夹盘（11）的内侧，所述限位环（14）的外径是卡接槽（12）内径的1.5倍。

3.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述喷头夹盘（11）的内侧中部与连接杆（10）对应位置处开设有活动孔，所述喷头夹盘（11）通过活动孔与连接杆（10）转动连接。

4.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述喷头（13）的外侧开设有螺纹，所述喷头（13）通过螺纹与螺纹连接槽（8）相连接，所述进水软管（7）与外部水源相连接，所述柱塞泵（6）的输入端与外部电源的输出端电性连接。

5.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述主喷射管（1）的外侧套接有安装环（16），所述安装环（16）的外侧焊接有弧形杆（17），所述弧形杆（17）的内侧开设有滑动槽（18），所述弧形杆（17）的一侧设置有支撑板（19），所述支撑板（19）的一侧端面与滑动槽（18）对应位置处安装有夹紧螺杆（20），所述夹紧螺杆（20）的外侧螺纹连接有夹紧螺帽（21），所述支撑板（19）的底端焊接有支撑底座（22）。

6.根据权利要求5所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述安装环（16）设置有两个，两个安装环（16）等距安装在主喷射管（1）的外侧。