[实用新型]一种微矩阵LED面板

说明书

本实用新型公开了一种微矩阵LED面板，涉及显示技术领域。该微矩阵LED面板包括：衬底基板；激发光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于激发光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离激发光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；纳米银颗粒层，位于激发光源与玻璃基板之间。本实用新型通过在激发光源和玻璃基板之间设置纳米银颗粒层，可以减小光在表面的全反射，让更多的光可以透射到微矩阵LED面板外，同时由于纳米银颗粒大小与发光波长匹配时，会发生表面等离子体效应，从而可以减小反射光损失，提高发光效率。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤指一种微矩阵LED面板。

背景技术

微矩阵LED面板(microLED)由于其具有亮度高、响应快、高稳定性等特点而被认为是未来显示技术的理想形式。

相关技术中的microLED实现全彩化的方式通常是通过蓝光microLED芯片来激发量子点转换层，这种方式虽然可以规避红绿蓝三色转移良率低以及红绿蓝三色效率不一致的问题，但是囿于量子点的转换效率，会存在蓝光转换不充分、蓝光泄露、红绿光背向散射等问题，从而降低了microLED的发光效率。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种微矩阵LED面板，用以减小反射光损失，提高发光效率。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型提供了一种微矩阵LED面板，包括：

衬底基板；

光源，位于所述衬底基板一侧；

量子点转换层，位于所述光源背离所述衬底基板一侧；

滤光层，位于所述量子点转换层背离所述光源一侧；

玻璃基板，位于所述滤光层背离所述量子点转换层一侧；

纳米银颗粒层，位于所述光源与所述玻璃基板之间。

优选的，所述微矩阵LED面板还包括缓冲层，位于所述滤光层与所述玻璃基板之间；

所述纳米银颗粒层位于所述缓冲层上且背离所述玻璃基板一侧。

优选的，所述微矩阵LED面板还包括封装盖板，位于所述量子点转换层与所述光源之间。

优选的，所述纳米银颗粒层位于所述封装盖板上且朝向所述玻璃基板一侧；或者，所述纳米银颗粒层位于所述封装盖板上且朝向所述衬底基板一侧。

优选的，所述纳米银颗粒层位于所述滤光层与所述玻璃基板之间。

优选的，所述纳米银颗粒层的厚度为18nm～20nm。

优选的，所述纳米银颗粒层中的颗粒大小为100nm～200nm。

优选的，所述微矩阵LED面板还包括散射层，位于所述光源与所述玻璃基板之间。

优选的，所述微矩阵LED面板还包括挡墙，位于所述滤光层与所述衬底基板之间。

优选的，所述微矩阵LED面板还包括间隔物，位于所述玻璃基板与所述衬底基板之间。

本实用新型提供的微矩阵LED面板包括：衬底基板；光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；纳米银颗粒层，位于光源与玻璃基板之间。本实用新型通过在光源和玻璃基板之间设置纳米银颗粒层，可以减小光在表面的全反射，让更多的光可以透射到微矩阵LED面板外，同时由于纳米银颗粒大小与发光波长匹配时，会发生表面等离子体效应，而可以减小反射光损失，提高发光效率。

附图说明