[实用新型]应用于C波段高增益的波导缝隙天线有效

专利信息
申请号: 202122488904.1 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN216436133U 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 曹镭;宫晗;李学功 申请(专利权)人: 北京雷格讯电子股份有限公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q1/36
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 俞牡丹
地址: 101102 北京市通州区中关*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 应用于 波段 增益 波导 缝隙 天线
【权利要求书】:

1.应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,包括:

底封板,其底部设有天线转接器;

馈电波导层,其敷设于所述底封板上,所述馈电波导层顶部开设有空腔,所述空腔与所述天线转接器连通;

辐射缝隙层,其敷设于所述馈电波导层上,所述辐射缝隙层上至少间隔开设有两个辐射缝隙,所述辐射缝隙与所述空腔连通;

辐射腔层,其敷设于所述辐射缝隙层上,所述辐射腔层上贯通开设有至少两个通孔,所述通孔分别一一对应罩设于所述辐射缝隙上,并且不交叉,所述通孔上大下小。

2.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述通孔呈类四棱台形。

3.如权利要求2所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述通孔的顶部的边长为40mm,所述通孔的底部的长和宽分别为39.5mm和29.5mm,所述通孔的高为7mm。

4.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述辐射缝隙的长度为C波段波长的一半。

5.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述空腔呈长方体形,相邻两个辐射缝隙间隔错位平行于所述空腔的长边,并且以所述空腔的中轴线呈中心对称形状,相邻两个辐射缝隙之间相邻的两端之间的距离为半个C波段的导波长,所述辐射缝隙距离所述空腔的平行于其长边的中轴线的距离为13.62mm。

6.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述馈电波导层位于所述空腔两侧相对开设有减重区域Ⅰ。

7.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述辐射缝隙层位于所述辐射缝隙外侧相对开设有减重区域Ⅱ。

8.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述底封板、所述馈电波导层、所述辐射缝隙层、所述辐射腔层上下表面均呈矩形,并且大小相同。

9.如权利要求1所述的应用于C波段高增益的波导缝隙天线,其特征在于,所述底封板、所述馈电波导层、所述辐射缝隙层、所述辐射腔层的边缘均对应同轴间隔设有多个安装孔。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京雷格讯电子股份有限公司,未经北京雷格讯电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122488904.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top