[实用新型]基于XC8222AIC的负电压生成电路

说明书

本实用新型公开了一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，包括电压变换电路，电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1；输入电压经过第一电阻R1与第二电阻R2分压后供给XC8222AIC芯片使能端，输出电压经第四电阻R4、第五电容C5、第五电阻R5反馈至芯片反馈端，用于调节输出电压。第三电阻R3用于设置芯片的开关频率。本实用新型具有输入范围宽、输出电流大、动态响应快等特点。

技术领域

本实用新型属于航空电子工程领域，特别是指一种宽输入快速动态响应的负电压生成电路。

背景技术

在航空电子设备中，电路设计时经常需要使用负电压供电，比如：很多的模拟量采集电路需要使用到-15V供电、模数转换电路需要使用-5V供电等等。

在以往的设计中，经常使用进口芯片以实现负电压的生成，比如：使用 LTM8025实现+5V到-5V的转换，使用XXX实现+15V到-15V的转换，存在输入范围窄的问题

发明内容

为了解决现有技术经常使用进口器件且输入范围窄等问题，本实用新型提供了一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，能够达到100％国产化，实现输入范围宽、输出电流大、动态响应快的负电压生成电路。

本实用新型的发明目的通过以下技术方案实现：

一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，包括电压变换电路，电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1；第一电阻R1的一端与电源输入端连接，第一电阻R1的另一端与XC8222AIC芯片D1的8脚、第二电阻R2 的一端连接，第二电阻R2的另一端与输出电源端Vout连接，XC8222AIC芯片D1 的1脚与第四电阻R4的一端、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端连接，第四电阻R4的另一端接地，第五电容C5的另一端接地，第五电阻R5的另一端接电源输出端Vout，XC8222AIC芯片D1的2脚与第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3 的另一端接输出电源端Vout，XC8222AIC芯片D1的3、4脚接地，XC8222AIC芯片D1的5脚与电源输入端Vin连接，XC8222AIC芯片D1的6脚一端与第四电容C4的一端、第一电感L1的一端连接，第四电容C4的另一端与XC8222AIC芯片的7脚连接，第一电感L1的另一端与地连接。

优选地，第四电容C4为低ESR的多层瓷介电容器，容量为100nF。

优选地，第一电感L1为铁氧体心绕线式片式电感器，容量为100uH。

优选地，第四电阻R4和第五电阻R5的阻值在10KΩ到1MΩ，Vout＝-0.6V* (R4+R5)/R5。

优选地，基于XC8222AIC的负电压生成电路还包含输入滤波电路，输入滤波电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，第一电容C1的一端连接外部输入电源端Vin，第一电容C1的另一端连接地，第二电容C2的一端与电源输入端连接，第二电容C2的另一端与输出电源端Vout连接，第三电容C3的一端与电源输入端连接，第三电容C3的另一端与输出电源端Vout连接。

优选地，第一电容C1为多层瓷介电容器，等级为X7R，容量大于4.7uF。

优选地，第二电容C2为多层瓷介电容器。

优选地，基于XC8222AIC的负电压生成电路还包含输出滤波电路，输出滤波电路包括第六电容C6、第七电容C7，第六电容C6的一端接地，第六电容C6的另一端接电源输出端Vout，第七电容C7的一端接地，第七电容C7的另一端接电源输出端Vout。

优选地，第六电容C6为多层瓷介电容器，等级为X7R，容量不低于22uF。