[实用新型]基于XC8222AIC的负电压生成电路

权利要求书

1.一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，包括电压变换电路，其特征在于电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1；第一电阻R1的一端与电源输入端连接，第一电阻R1的另一端与XC8222AIC芯片D1的8脚、第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与输出电源端Vout连接，XC8222AIC芯片D1的1脚与第四电阻R4的一端、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端连接，第四电阻R4的另一端接地，第五电容C5的另一端接地，第五电阻R5的另一端接电源输出端Vout，XC8222AIC芯片D1的2脚与第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3的另一端接输出电源端Vout，XC8222AIC芯片D1的3、4脚接地，XC8222AIC芯片D1的5脚与电源输入端Vin连接，XC8222AIC芯片D1的6脚一端与第四电容C4的一端、第一电感L1的一端连接，第四电容C4的另一端与XC8222AIC芯片的7脚连接，第一电感L1的另一端与地连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第四电容C4为低ESR的多层瓷介电容器，容量为100nF。

3.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第一电感L1为铁氧体心绕线式片式电感器，容量为100uH。

4.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第四电阻R4和第五电阻R5的阻值在10KΩ到1MΩ，Vout＝-0.6V*(R4+R5)/R5。

5.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于还包含输入滤波电路，输入滤波电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，第一电容C1的一端连接外部输入电源端Vin，第一电容C1的另一端连接地，第二电容C2的一端与电源输入端连接，第二电容C2的另一端与输出电源端Vout连接，第三电容C3的一端与电源输入端连接，第三电容C3的另一端与输出电源端Vout连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第一电容C1为多层瓷介电容器，等级为X7R，容量大于4.7uF。

7.根据权利要求5所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第二电容C2为多层瓷介电容器。

8.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于还包含输出滤波电路，输出滤波电路包括第六电容C6、第七电容C7，第六电容C6的一端接地，第六电容C6的另一端接电源输出端Vout，第七电容C7的一端接地，第七电容C7的另一端接电源输出端Vout。

9.根据权利要求8所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路，其特征在于第六电容C6为多层瓷介电容器，等级为X7R，容量不低于22uF。