[实用新型]一种超高频对讲机天线模块

说明书

本实用新型涉及天线技术领域，尤其涉及一种超高频对讲机天线模块，包括超高频对讲机天线和射频功率放大器，所述射频功率放大器的输出端与超高频对讲机天线相耦合，还包括运算放大器、压控电流源、第一温敏电路及第二温敏电路；所述第一温敏电路设置在射频功率放大器上，所述第一温敏电路的输出端与运算放大器的反向输入端电连接；所述第二温敏电路远离功率放大器，所述第二温敏电路的输出端与运算放大器的同向输入端电连接；所述运算放大器的输出端与所述压控电流源的受控端连接；所述压控电流源的输出端与射频功率放大器的电源端电连接。本超高频对讲机模块解决了高占空比信号下射频功率放大器结温升高导致的天线增益下降的问题。

技术领域

本实用新型涉及天线技术领域，尤其涉及一种超高频对讲机天线模块。

背景技术

天线是对讲机设备的重要组成部分之一，在对讲机设备中用来发射或者接收电磁波。射频功率放大器是对讲机设备中天线的前级电路，对讲机设备振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过射频功率放大器的放大后获得足够大的射频功率，才可以馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频功率，就必须使用射频功率放大器来获得足够的功率。

而GaAs(砷化镓)HBT(heterojunction bipolar transistor，异质结双极性晶体管)是目前应用最广的射频功率放大器芯片的工艺技术之一。GaAs HBT的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下工作。

但是现有技术中，GaAs HBT作为放大管具有随着结温升高增益下降的特点。射频功率放大器芯片开启就会在芯片内部和装载电路板上积累热量。参照图1，不同开启关闭占空比下结温也会不同，开启占空比高的时候，平均结温更高，开启占空比低的时候，平均结温低。由于结温更高，传统射频功率放大器芯片的增益在高占空比开启时会下降。增益下降就会导致输出功率下降，从而影响对讲机天线的通信速率。

实用新型内容

因此，针对上述的问题，本实用新型提出一种超高频对讲机天线模块，解决高占空比信号下射频功率放大器结温升高导致的天线增益下降的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：一种超高频对讲机天线模块，包括超高频对讲机天线和射频功率放大器，所述射频功率放大器的输出端与超高频对讲机天线相耦合；

还包括运算放大器、压控电流源、第一温敏电路及第二温敏电路；

所述第一温敏电路设置在射频功率放大器上，所述第一温敏电路的输出端与运算放大器的反向输入端电连接，所述第一温敏电路检测射频功率放大器的温度并转换为电压值并输出到运算放大器的反向输入端；

所述第二温敏电路远离功率放大器设置，所述第二温敏电路的输出端与运算放大器的同向输入端电连接，所述第二温敏电路检测环境的温度并转换为电压值并输出到运算放大器的同相输入端；

所述运算放大器的输出端与所述压控电流源的受控端连接；

所述压控电流源的输出端与射频功率放大器的电源端电连接。

进一步的，所述第一温敏电路及所述第二温敏电路都包括至少一个温度感应元器件。

进一步的，所述温度感应元器件采用温感二极管或温感HBT或温感电阻中的任意一种。

进一步的，所述第一温敏电路包括温敏二极管D1及电阻R1；

所述电阻R1的第一端连接有基准电压，所述电阻R1的第二端与所述温敏二极管D1的正极连接，所述温敏二极管D1的负极接地，所述温敏二极管D1的正极与所述运算放大器的反向输入端电连接。

进一步的，所述第二温敏电路包括温敏二极管D2及电阻R2；