[实用新型]用于电子墨水屏幕模组的防磁场干扰结构有效

专利信息
申请号: 202121957696.9 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN215769285U 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 袁培志;甘勇军 申请(专利权)人: 深圳长城开发科技股份有限公司
主分类号: G02F1/1675 分类号: G02F1/1675;H05K9/00
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 秦冬梅;郭伟刚
地址: 518109 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子 墨水 屏幕 模组 磁场 干扰 结构
【权利要求书】:

1.一种用于电子墨水屏幕模组的防磁场干扰结构,其特征在于,包括:

主体结构层,所述主体结构层的一侧设有防护层,所述防护层内设有用于收容和固定屏幕模组的防护区,所述主体结构层的另一侧设有隔磁层;

多个磁铁序列,各所述磁铁序列分别位于所述隔磁层上背向所述防护层的一侧并被所述主体结构层的边缘包围,各所述磁铁序列沿所述主体结构层的周缘分布,每个所述磁铁序列分别包括南北极间隔设置的至少两块磁铁;以及

多个屏蔽层,所述屏蔽层位于所述磁铁序列与所述隔磁层之间,每个所述屏蔽层内设有一安装区,每一所述磁铁序列分别对应设置于一所述屏蔽层的安装区内。

2.根据权利要求1所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述主体结构层的边缘经连续折弯形成N字形结构的限位槽,所述限位槽包括依序连接的第一竖部、横部以及第二竖部,所述第一竖部邻近所述防护层,所述隔磁层、所述屏蔽层以及所述磁铁序列分别收容于所述限位槽并沿第一竖部向第二竖部方向依序设置。

3.根据权利要求2所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述第二竖部的末端设有向限位槽内腔凸起的凸部,用于限定所述磁铁序列的位置。

4.根据权利要求3所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述防护层的边缘向防护层的中部折弯以形成所述防护区。

5.根据权利要求4所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述主体结构层由金属铝制成。

6.根据权利要求5所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述隔磁层由超导磁材料制成。

7.根据权利要求6所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述屏蔽层由磁屏蔽材料制成。

8.根据权利要求7所述的防磁场干扰结构,其特征在于,所述屏蔽层的两个相对边侧向屏蔽层的中部折弯以形成所述安装区。

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