[实用新型]一种钝化接触太阳电池、组件和系统

权利要求书

1.一种钝化接触太阳电池，包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；所述背面钝化膜的厚度为30～100nm。

2.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述硅基体的正面为陷光结构，且硅基体的背面为平面结构或陷光结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述次级陷光结构为纳米级孔洞结构，孔洞大小为50～300nm、孔洞深度为50～300nm。

4.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述硅基体为N型硅基体。

5.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述p+发射极为掺杂硼的p+发射极，所述掺杂多晶硅层为掺杂磷的n+多晶硅层。

6.根据权利要求1或5所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述隧穿氧化层是厚度为1～2nm的氧化硅。

7.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化减反膜是具有三氧化二铝钝化层的减反膜；所述背面钝化膜是氮化硅钝化膜。

8.一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的正面材料层、正面封装层、太阳电池、背面封装层和背面材料层，其特征在于：所述太阳电池是权利要求1-7任一项所述的一种钝化接触太阳电池。

9.一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是权利要求8所述的一种太阳能电池组件。