[实用新型]一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置

说明书

本实用新型涉及晶片抛光设备领域，尤其是涉及一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置，包括：第一机构，作用于一晶片，所述第一机构用于对晶片上下表面抛光；第二机构，作用于一晶片，所述第二机构用于对晶片端面抛光。本申请具有的效果：本申请的抛光装置分为用于晶片上下表面抛光的第一机构和用于晶片端面抛光的第二机构，将晶片的上下表面抛光和端面抛光分步抛光，通过不同程度的驱动作用，提高在抛光过程中晶片的受力均匀性。解决了现有技术中抛光过程中晶片受力不均匀的技术问题，达到了抛光时晶片受力均匀的技术效果。

技术领域

本申请涉及晶片抛光设备领域，尤其是涉及一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置。

背景技术

半导体硅晶片片是制造超大规模集成电路的主要衬底材料，随着半导体产业的飞速发展，对衬底材料的精度要求也越来越高，特别是对硅抛光片的外圆表面状态越来越严格。对于直径6英寸以上尤其是8英寸和12英寸的硅抛光片来说，一般在衬底加工时是需要对晶片的外圆表面进行抛光处理的，从而确保在外延时晶片边缘处不产生滑移线或外延层错等缺陷，进而提高外延片或器件成品率。晶片的边缘抛光一般在独立的设备上完成，采用化学抛光的方法，使用抛光液和抛光布，在一定温度和转速的工艺条件下实现化学机械抛光的过程。对晶片参考面抛光是整个晶片边缘抛光中的一步工序，晶片参考面通常也是被称为平边参考面，这种参考面是平直的，进行边缘抛光时，参考面各处的抛光程度要一致，抛光后具有相同的表面粗糙度。对晶片的外圆表面均匀抛光，使外圆表面的上表面、下表面和端面的抛光程度一致，这样才能保证这个参考面上各点的抛光去除量相同，具有一样的微粗糙度。如果外圆表面的某一部分抛光程度小、损伤层未完全去除，在后序的外延过程中将很容易形成多晶粒聚集的问题。

现有技术中，对晶片上下表面抛光和端面抛光一般集成于同一抛光设备，在同一个驱动作用下，利用离心力将负责抛光上下表面的抛头和负责抛光端面的抛头均贴合在晶片上，实现对晶片上下表面和端面的抛光。

因此，现有技术的技术问题在于：上下面抛光与端面抛光集成于同一设备，在抛光过程中晶圆受力不均匀。

实用新型内容

本申请提供一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置，解决了现有技术中抛光过程中晶片受力不均匀的技术问题，达到了抛光时晶片受力均匀的技术效果。

本申请提供的一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置，采用如下的技术方案：

一种兼容V槽型晶片和平边型晶片边缘表面抛光装置，包括：第一机构，作用于一晶片，所述第一机构用于对晶片上下表面抛光；第二机构，作用于一晶片，所述第二机构用于对晶片端面抛光。

作为优选，所述第一机构包括：第一机架，所述第一机架用于放置晶片；上表面抛光组件，所述上表面抛光组件连接于所述第一机架，所述上表面抛光组件作用于晶片上表面，所述上表面抛光组件包括：第一摆杆，所述第一摆杆转动连接于所述第一机架上，所述第一摆杆相对于所述第一机架可纵向摆动；上抛头，所述上抛头固定于所述第一摆杆的上端，用于与晶片上表面贴合；以及上配重块，所述上配重块固定于所述第一摆杆的下端；下表面抛光组件，所述下表面抛光组件连接于所述第一机架上，所述下表面抛光组件作用于晶片下表面，所述下表面抛光组件包括：第二摆杆，所述第二摆杆转动连接于所述第一机架上，所述第二摆杆相对于所述第一机架可纵向摆动；下抛头，所述下抛头固定于所述第二摆杆下端，用于与晶片下表面贴合；以及下配重块，所述下配重块固定于所述第二摆杆的上端；以及第一驱动组件，所述第一驱动组件连接所述第一机架，用于驱动所述第一机架自转，在所述上配重块的离心作用下使得所述上抛头与晶片上表面贴合，在所述下配重块的离心作用下使得所述下抛头与晶片下表面贴合。