[实用新型]晶圆测厚仪

说明书

本申请公开了一种晶圆测厚仪，其包括：基座；基座顶部设有放置平台和支撑架；支撑架上安装有触摸显示器和上电容传感器；基座内安装有下电容传感器和抽真空装置；且下电容传感器位于上电容传感器的正下方；放置平台表面设有1个测试孔和至少3个真空吸附孔；测试孔位于下电容传感器的正上方及上电容传感器的正下方；真空吸附孔环绕测试孔均匀分布，且各真空吸附孔通过环形气道相互导通；且真空吸附孔与真空接入嘴连接；真空接入嘴通过管路与抽真空装置导通；真空吸附孔与真空接入嘴的衔接处还设有密封盖。本申请结构简单，易于实现。能够克服晶圆边沿翘曲带来的检测误差，实现对晶圆厚度在亚微米级别的精确测量。

技术领域

本申请涉及电子测量设备技术领域，具体而言，涉及一种晶圆测厚仪。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，可用于加工制成各种电路元件。而成为有特定电性功能的集成电路产品。在晶圆加工过程中，只有经过研磨抛光后的晶圆才能进入刻蚀，化学沉积，电镀等工艺。因此实践中需要对晶圆厚度进行精确的测量和控制。现有技术中，当采用非接触式测量方法对晶圆厚度进行测量时，由于晶圆边沿可能存在细微的翘曲，因此测量结果会存在亚微米级的测量误差。因此，本申请提供了一种新型的晶圆带阻力感应的搬运机械手，以克服现有技术中存在的上述问题。

实用新型内容

本申请提供了一种晶圆测厚仪，能够克服晶圆边沿翘曲带来的检测误差，实现对晶圆厚度在亚微米级别的精确测量。

其采用的技术方案如下：

一种晶圆测厚仪，其包括：基座；所述基座顶部设有放置平台和支撑架；所述支撑架上安装有触摸显示器和上电容传感器；所述基座内安装有下电容传感器和抽真空装置；且所述下电容传感器位于上电容传感器的正下方；所述放置平台表面设有1个测试孔和至少 3个真空吸附孔；所述测试孔位于下电容传感器的正上方及上电容传感器的正下方；所述真空吸附孔环绕测试孔均匀分布，且各真空吸附孔通过环形气道相互导通；且所述真空吸附孔与真空接入嘴连接；所述真空接入嘴通过管路与抽真空装置导通；所述真空吸附孔与真空接入嘴的衔接处还设有密封盖。

通过采用这种技术方案：通过抽真空装置在真空吸附孔处产生真空负压，使得晶圆上细微翘曲的待测试点被吸平。通过上电容传感器和下电容传感器对晶圆上已被吸平的待测试点进行厚度检测。从而取得亚微米级别的精确测量数据。

优选的是，上述晶圆测厚仪中：所述放置平台表面设有一层防静电特氟龙涂层。

通过采用这种技术方案：设置防静电特氟龙镀层的目的在于防止晶圆在平移过程中划伤，同时防止晶圆摩擦时积聚静电，对晶圆造成静电损坏。

更优选的是，上述晶圆测厚仪中：所述上电容传感器外侧安装有防护外壳。

通过采用这种技术方案：以防护外壳实现对上电容传感器的保护，同时由于下电容传感器位于基座内，因此无需额外对其设置防护外壳。

进一步优选的是，上述晶圆测厚仪中：所述支撑架包括对称设置的左支撑骨架和右支撑骨架；且所述左支撑骨架和右支撑骨架之间设有加强筋。

通过采用这种技术方案：设置对称的左、右支撑骨架保证支撑架的稳定性。设置加强筋提升了支撑架整体的刚性。

更进一步优选的是，上述晶圆测厚仪中：所述抽真空装置包括依序连接的压缩空气接入口，气源三联件，电磁阀和真空发生器，所述真空发生器通过管路与相导通。

更进一步优选的是，上述晶圆测厚仪中：所述基座底部设有可升降地脚。其中，基于可升降地脚可对设备的整体高度进行微调。

与现有技术相比，本申请结构简单，易于实现。能够克服晶圆边沿翘曲带来的检测误差，实现对晶圆厚度在亚微米级别的精确测量。

附图说明

图1为实施例1的立体结构示意图；