[实用新型]一种晶片热氮气干燥装置有效
| 申请号: | 202121574897.0 | 申请日: | 2021-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN215524047U | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 周一;彭杰;毕洪伟;赵红;黄玉荣 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | F26B11/18 | 分类号: | F26B11/18;F26B21/14 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 黄宗波 |
| 地址: | 404000 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 氮气 干燥 装置 | ||
本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种晶片热氮气干燥装置,包括壳体和固定安装在壳体内的风干箱,风干箱包括底板,底板上设有两个安装组,安装组包括两个平行设置的卡槽,卡槽内设置有贯穿底板的通孔,两个卡槽之间的底板上分别设置有第一转动槽和第二转动槽,第一转动槽内设置有第一辊轴,第二转动槽内设置有第二辊轴,第一辊轴和第二辊轴的上侧面高度高于底板的上侧面高度,第一辊轴和第二辊轴均穿出风干箱连接有转动动力机构;风干箱内穿设有热氮气导管,热氮气导管上开设有若干的出风孔。本实用新型不仅能够有效避免晶片在晶周盒内晃动所导致的晶片裂纹碎裂等问题发生,同时还可解决晶片受风受热不均的问题,提高晶片的干燥效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶片热氮气干燥装置。
背景技术
在晶片的完整生产流程中,晶体先通过多线切割技术被切割成晶片后,晶片将经历研磨、抛光、清洗包装等多道工序,而其中每一道工序在操作完成后,为保证晶片表面洁净,都会对晶片进行清洗操作,清洗完成后,需要使用干燥设备对晶片进行干燥处理。
在对晶片进行清洗后,将放置晶片的晶周盒放入乙醇槽内进行浸没,晶片表面水分被乙醇所替代,同时乙醇也能有效去除晶片表面杂质。然后将晶周盒从乙醇槽内取出放入风干槽内,开启热氮气系统进行风干干燥。在风干过程中,晶周盒放置于干燥箱底部,晶片竖直放置于晶周盒内,其热氮气从干燥箱上部送入后,晶片在热氮气的作用下来回晃动,其不利于晶片质量的保证,晃动的过程中容易使晶片表面产生裂纹甚至碎裂;同时,因其热氮气从上方送入,晶片上部干燥迅速,但其晶片下半部分受风受热较少,干燥较慢,若使其完全干燥需要较长时间,不利于提高生产效率,极大的增加了生产时间成本。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种晶片热氮气干燥装置,不仅能够有效避免晶片在晶周盒内晃动所导致的晶片裂纹碎裂等问题发生,同时还可解决晶片受风受热不均的问题,提高晶片的干燥效率。
本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题:
一种晶片热氮气干燥装置,包括壳体和固定安装在壳体内的风干箱,所述风干箱包括底板,所述底板上设置有两个用于安装晶周盒的安装组,每个安装组包括两个平行设置的卡槽,所述卡槽内设置有贯穿底板的通孔,两个安装组的两个卡槽之间的底板上分别设置有第一转动槽和第二转动槽,所述第一转动槽内活动的设置有第一辊轴,所述第二转动槽内活动的设置有第二辊轴,所述第一辊轴和第二辊轴的上侧面高度高于底板的上侧面高度,所述第一辊轴和第二辊轴均穿出风干箱连接有转动动力机构;所述风干箱内穿设有热氮气导管,所述热氮气导管上开设有若干的出风孔。
进一步,所述转动动力机构包括电机,所述电机的输出轴上串联的安装有第一皮带轮和第二皮带轮;所述第一辊轴伸出风干箱的一端固定安装有第三皮带轮,所述第二辊轴伸出风干箱的一端固定安装有第四皮带轮,所述第一皮带轮与第三皮带轮之间张紧有第一皮带,所述第二皮带轮与第四皮带轮之间张紧有第二皮带。当电机转动时,通过输出轴带动第一皮带轮和第二皮带轮旋转,第一皮带轮通过第一皮带带动第三皮带轮和第一辊轴旋转,第二皮带轮则通过第二皮带带动第四皮带轮和第二辊轴旋转;从而一个电机同时带动第一辊轴和第二辊轴同时以相同的速度同向旋转,第一辊轴和第二辊轴的旋转带动安装在卡槽内的晶周盒转动,保证了晶片旋转的均匀性和一致性。
进一步,所述底板下方的壳体内设置有挡板,所述挡板上开设有排液孔,所述壳体上设置有排液管,所述排液孔与排液管之间连通有连通管。当晶片和晶周盒上的液体在重力和热氮气的作用下流入卡槽,然后通过卡槽上的通孔流入到挡板上,最后通过排液孔进入到连通管内,最后通过排液管排出。
进一步,所述第一转动槽和第二转动槽均为穿透底板的通槽,所述第一辊轴和第二辊轴均转动连接在风干箱上。第一辊轴和第二辊轴均穿透在风干箱的底板上,有利于晶片上附着的未清理干净的杂质脱落后能顺利第一转动槽或者第二转动槽进入下方的挡板上,而被后期清理。
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