[实用新型]一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构有效
申请号: | 202121507311.9 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN215067395U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 孟彦龙;刘思梦;吴敬昊 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | G02B5/28 | 分类号: | G02B5/28;G02B5/22;G02B5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 波长 选择 红外 完美 吸收 结构 | ||
1.一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于该结构由DBR结构和光学腔、金属层以及基底构成,其中层1为基底层,层2为金属层,层3为光学腔层,高折射率层4、低折射率5、高折射率6构成DBR结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于基底层1为Si、FTO、ITO、InP、SiC中的一种,其厚度在200nm~500nm之间。
3.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于金属层2为TiN、Au、Ge、Cr、Ti中的一种,其厚度在30nm~150nm之间。
4.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于光学腔层3为NaF、SiO2、Al2O3、LiF、TiO2中的一种,其厚度在400nm~900nm之间。
5.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于高折射率层4为MoS2、Ge、Si、MoTe2、GaAs中的一种,其厚度在100nm~300nm之间。
6.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于低折射率层5为NaF、SiO2、Al2O3、LiF、TiO2中的一种,其厚度在700nm~2000nm之间。
7.根据权利要求1所述的一种具有波长选择的中红外完美吸收器结构,其特征在于高折射率层6为MoS2、Ge,Si,MoTe2、GaAs中的一种,其厚度在100nm~300nm之间。
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