[实用新型]一种阶梯型结构FBAR滤波器及滤波器组件

权利要求书

1.一种阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；

所述多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器，串联连接在所述输入端子和输出端子之间；

所述多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器，所述第七薄膜体声波谐振器的一端分别连接在所述第一薄膜体声波谐振器与所述第二薄膜体声波谐振器之间的节点上、所述第八薄膜体声波谐振器的一端分别连接在所述第三薄膜体声波谐振器与所述第四薄膜体声波谐振器之间的节点上、所述第九薄膜体声波谐振器的一端分别连接在所述第五薄膜体声波谐振器与所述第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，所述第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器的另一端分别连接接地端子；

所述第一薄膜体声波谐振器至所述第六薄膜体声波谐振器中相邻任意三个薄膜体声波谐振器的中心连线均构成V字型，且按顺次的第一个、第二个和第四个V字型的开口朝向与第三个V字型的开口朝向相反，且按顺次的第一个、第二个和第四个V字型的开口角度大于120°，第三个V字型的开口角度小于90°。

2.如权利要求1所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同；所述多个并联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。

3.如权利要求1或2所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和所述多个并联的薄膜体声波谐振器的并联谐振频率相同。

4.如权利要求1所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述第一薄膜体声波谐振器和所述第二薄膜体声波谐振器的面积为4270μm²-4330μm²，所述第三薄膜体声波谐振器的面积为4570μm²-3630μm²，所述第四薄膜体声波谐振器和所述第五薄膜体声波谐振器的面积为4470μm²-4530μm²，所述第六薄膜体声波谐振器的面积为4210μm²-4270μm²，所述第七薄膜体声波谐振器的面积为3920μm²-3980μm²，所述第八薄膜体声波谐振器的面积为5470μm²-5530μm²，所述第九薄膜体声波谐振器的面积为5570μm²-5630μm²。

5.如权利要求1所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述阶梯型结构FBAR滤波器的版图主要包括牺牲层、下电极层、压电层、上电极层、差频层和孔层，所述差频层与所述多个并联的薄膜体声波谐振器对应，所述多个串联的薄膜体声波谐振器不具有所述差频层；所述孔层中开设有多个释放孔，每个薄膜体声波谐振器均设有多个释放通道，每个所述释放通道至少对应一个释放孔。

6.如权利要求5所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述上电极层的厚度为所述下电极层的厚度为所述压电层的厚度为所述差频层的厚度为所述释放孔的直径为15μm-25μm。

7.如权利要求1所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述第一薄膜体声波谐振器至所述第六薄膜体声波谐振器的中心连线构成折线，所述第七薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器位于所述折线的一侧，所述第八薄膜体声波谐振器位于所述折线的另一侧。

8.如权利要求7所述的阶梯型结构FBAR滤波器，其特征在于，所述第一薄膜体声波谐振器至所述第六薄膜体声波谐振器的中心与所述输入端子和所述输出端子所在的直线的距离小于阈值。