[实用新型]一种IGBT驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种IGBT驱动电路，包括：包括：信号输入模块，所述信号输入模块包括第一输出端子；驱动模块，所述驱动模块的输入端与所述第一输出端子连接，所述驱动模块还包括第二输出端子，所述第二输出端子连接有IGBT；过流保护模块，所述过流保护模块包括第一检测单元和过流软关断单元。本实用新型通过驱动模块输出IGBT的驱动信号以及驱动关断信号，达到控制IGBT工作状态的目的，利用第一检测单元和过流软关断单元，在IGBT发生过流及短路时，实现对IGBT的软关断，降低了IGBT损坏的风险，而且具有成本低廉、可靠性高的特点。可广泛应用于电子电路技术领域。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种IGBT驱动电路。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有易驱动、耐高压、电流大、高速和地饱和压降等良好特性，广泛应用于变频器、电机调整、大功率电源等设备中。

现有技术中的专利号为CN201010245157.2、CN201010231980.8等专利申请对中小功率IGBT驱动技术做出了详细描述，其中，前者是仅实现了IGBT的保护，对IGBT驱动并未做说明；而后者是实现IGBT的集电极过压双重保护的监控方法，也仅仅对IGBT的过压保护做了介绍，对IGBT保护反馈及驱动均未介绍。

综上所述，现有技术对IGBT的驱动技术难以将IGBT的驱动和保护融为一体，并且，保护功能中缺少过流软关断保护、故障反馈等功能。

实用新型内容

为至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一，本实用新型的目的在于：提供一种IGBT驱动电路及控制方法。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种IGBT驱动电路，包括：

信号输入模块，所述信号输入模块包括第一输出端子；

驱动模块，所述驱动模块的输入端与所述第一输出端子连接，所述驱动模块还包括第二输出端子，所述第二输出端子连接有IGBT；

过流保护模块，所述过流保护模块包括第一检测单元和过流软关断单元；

所述第一检测单元包括第二稳压管和第七三极管，所述第七三极管的基极与正极电源端子连接，所述第七三极管的集电极与所述第二稳压管的负极连接，所述第七三极管的发射极连接负极电源端子；

所述过流软关断单元包括第六电容、第七电阻和第八三极管，所述第八三极管的基极与所述第二稳压管的正极连接，所述第八三极管的集电极连接所述第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端连接所述第六电容的一端，所述第六电容的另一端连接所述负极电源端子。

进一步，所述驱动模块包括第二二极管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管和第五三极管；

所述第二二极管的正极与所述第一输出端子连接，所述第二二极管的负极与所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的基极通过第二基极电阻连接至所述正极电源端子，所述第二三极管的集电极与所述正极电源端子连接，所述第二三极管的发射极与所述第三三极管的基极连接，所述第三三极管的集电极连接所述正极电源端子连接，所述第三三极管的发射极连接所述第二输出端子；

所述第一三极管的基极与所述第一输出端子连接，所述第一三极管的集电极与所述第二二极管的负极连接，所述第一三极管的发射极与所述负极电源端子连接；

所述第四三极管的基极与所述第二二极管的负极连接，所述第四三极管的发射极连接所述第二三极管的发射极，所述第四三极管的集电极连接所述负极电源端子，所述第五三极管的基极连接所述第二三极管的发射极，所述第五三极管的发射极连接所述第二输出端子，所述第五三极管的集电极连接至所述负极电源端子。