[实用新型]一种真空吸附平台有效
| 申请号: | 202121352533.8 | 申请日: | 2021-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN215069917U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 李宝顺;黄泰钧;景小红 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 真空 吸附 平台 | ||
1.一种真空吸附平台,其特征在于,包括:
平台主体,所述平台主体的第一表面上设有至少一个凹槽;
其中,每一所述凹槽包括:
第一槽,向所述第一方向延伸;以及
第二槽,连通于所述第一槽,且向不同于所述第一方向的第二方向延伸。
2.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,所述第一槽沿弧线或直线延伸,所述第二槽沿弧线或直线延伸。
3.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,所述第一槽与所述第二槽相互垂直,且所述第一槽的中点与所述第二槽的中点重合。
4.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,相邻两个所述凹槽之间具有间隙。
5.根据权利要求4所述的真空吸附平台,其特征在于,所述第一槽的长度为L,所述间隙的长度范围为0.5L-1L。
6.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,所述凹槽在所述平台主体的中部的分布密度大于其在所述平台主体的两端的分布密度。
7.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,还包括:
至少一个孔,设于与所述第一表面相对设置的第二表面上;或者设于连接所述第一表面与所述第二表面的至少一侧面上。
8.根据权利要求7所述的真空吸附平台,其特征在于,至少一个凹槽沿所述第一方向排布形成一凹槽单元,所述孔与所述凹槽单元一一对应设置。
9.根据权利要求8所述的真空吸附平台,其特征在于,所述凹槽单元的每一所述凹槽均连通于所述凹槽单元对应的孔。
10.根据权利要求3所述的真空吸附平台,其特征在于,每一所述凹槽还包括:
第三槽,平行于所述第一槽,且连通至所述第二槽;以及
第四槽,平行于所述第一槽,且连通至所述第二槽;
其中,所述第三槽的中点与所述第二槽的一个端点重合,所述第四槽的中点与所述第二槽的另一个端点重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





