[实用新型]低漏磁箔绕高频变压器

说明书

本实用新型公开一种低漏磁箔绕高频变压器，包括有磁芯和箔绕线圈；其中：所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈，所述内侧次级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈通过第一导体连接导通；或者，所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈，所述内侧初级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈通过第二导体连接导通。如此，达到提升耦合、减少漏磁、缩小产品尺寸、提高转换效率等目的。

技术领域

本实用新型涉及大功率高频变压器领域技术，尤其是指一种低漏磁箔绕高频变压器。

背景技术

传统技术中，高频变压器通常采用次级线包围绕初级线包的方式，由于高频电流存在严重的集肤效应，电流会优先沿最短的内侧通路流通，故导致初次级的磁耦合很松，因此该变压器存在漏磁大、效率低的缺陷；为了尽量降低漏磁，通常会把线包绕得很紧，其随之带来了散热不良的问题，因为紧绕的线包内部热量很难导出来；也有些是通过加长磁芯高度减少线包匝数的方式，但是，其磁芯用量较多，重量大，成本高，同时，整个高频变压器的高度尺寸大。

因此，本实用新型中，申请人精心研究了一种新的技术方案来解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种低漏磁箔绕高频变压器，其达到提升耦合、减少漏磁、缩小产品尺寸、提高转换效率等目的。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种低漏磁箔绕高频变压器，包括有磁芯和箔绕线圈；其中：所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈，所述内侧次级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈通过第一导体连接导通；或者，所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈，所述内侧初级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈通过第二导体连接导通。

作为一种优选方案，所述磁芯具有两个左右间距布置的绕组磁柱和分别连接于两个绕组磁柱上端、下端的上侧部、下侧部；所述箔绕线圈设置有两组，每组箔绕线圈围绕一绕组磁柱设置；

作为一种优选方案，所述内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈的匝数均为1匝以上，且，外侧次级箔绕线圈的匝数等于初级箔绕线圈的匝数减去内侧次级箔绕线圈的匝数。

作为一种优选方案，所述内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈的匝数均为1匝以上，且，外侧初级箔绕线圈的匝数等于次级箔绕线圈的匝数减去内侧初级箔绕线圈的匝数。

作为一种优选方案，所述内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈，相邻两者之间，设置有第一绝缘层。

作为一种优选方案，所述内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈，相邻两者之间，设置有第二绝缘层。

作为一种优选方案，所述箔绕线圈的上端或下端设置有导电箔，所述内侧次级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈的接头延伸至导电箔相导通，或者，所述内侧初级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈的接头延伸至导电箔相导通。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其达到提升耦合、减少漏磁、提升转换效率、缩小产品尺寸等目的；其通过将箔绕线圈设计为内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈，或者，内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈，有效提升初次级间的耦合，减少漏磁，箔绕式设计，也使得在满足大功率的前提下其产品体积仍可以控制得较小，同时，其结构巧妙合理，可实现大批量生产。

其次是，每组箔绕线圈的上端或下端设置有导电箔来实现接头导通，有利于控制箔绕线圈的整个厚度，也适于自动化电性连接。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明