[实用新型]低漏磁箔绕高频变压器有效
申请号: | 202121336508.0 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN215896154U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 陈锦棠;方朝晖;江丽民 | 申请(专利权)人: | 东莞市光华实业有限公司 |
主分类号: | H01F27/34 | 分类号: | H01F27/34;H01F27/28;H01F27/29 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 范小艳;徐勋夫 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低漏磁箔绕 高频变压器 | ||
1.一种低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:包括有磁芯和箔绕线圈;其中:所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈,所述内侧次级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈通过第一导体连接导通;或者,所述箔绕线圈具有自内而外依次设置的内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈,所述内侧初级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈通过第二导体连接导通。
2.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述磁芯具有两个左右间距布置的绕组磁柱和分别连接于两个绕组磁柱上端、下端的上侧部、下侧部;所述箔绕线圈设置有两组,每组箔绕线圈围绕一绕组磁柱设置。
3.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈的匝数均为1匝以上,且,外侧次级箔绕线圈的匝数等于初级箔绕线圈的匝数减去内侧次级箔绕线圈的匝数。
4.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈的匝数均为1匝以上,且,外侧初级箔绕线圈的匝数等于次级箔绕线圈的匝数减去内侧初级箔绕线圈的匝数。
5.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述内侧次级箔绕线圈、初级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈,相邻两者之间,设置有第一绝缘层。
6.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述内侧初级箔绕线圈、次级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈,相邻两者之间,设置有第二绝缘层。
7.根据权利要求1所述的低漏磁箔绕高频变压器,其特征在于:所述箔绕线圈的上端或下端设置有导电箔,所述内侧次级箔绕线圈及外侧次级箔绕线圈的接头延伸至导电箔相导通,或者,所述内侧初级箔绕线圈及外侧初级箔绕线圈的接头延伸至导电箔相导通。
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