[实用新型]一种非隔离打嗝短路保护电路

权利要求书

1.一种非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，包括：

电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；

延时电路，用于延长短路保护周期；

控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护。

2.如权利要求1所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述控制电路包括：电阻R6、电阻R7、MOSFET管Q3、二极管D3、二极管D5和稳压管DZ4；

电流采样电路的输出端连接二极管D5的正极，二极管D5的负极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，电阻R7的一端接地，电阻R7的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ4的正极接地，稳压管DZ4的负极连接MOSFET管Q3的栅极，MOSFET管Q3的源极接地，二极管D3的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D3的正极连接主电路的功率MOSFET管。

3.如权利要求2所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述延时电路包括：三极管VT2，电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R5，电容C4，稳压管DZ2、稳压管DZ3、二极管D2、二极管D4和三极管VT3，三极管VT2的发射极连接输入电源+Vin，电阻R2连接在三极管VT2的发射极和基极之间，电阻R3的一端连接三极管VT2的基极，电阻R3的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D4的正极连接三极管VT2集电极，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，电阻R4一端连接三极管VT2集电极，电阻R4的另一端连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ2的正极连接三极管VT3的基极，三极管VT3的发射极接地，三极管VT3的集电极连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ3的负极连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ3的正极接地，电容C4一端连接稳压管DZ2的负极，电容C4的另一端接地，电阻R5的一端连接稳压管DZ2的负极，电阻R5的另一端接地。

4.如权利要求3所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述三极管VT2和三极管VT3用MOSFET管替代。

5.如权利要求2所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C6、电容C7、运算放大器IC2A和运算放大器IC3A，电阻R16一端连接主电路的输出负端，电阻R16的另一端接地，电阻R13的一端连接运算放大器IC2A的反相输入端，电阻R13的另一端接地，电阻R15的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电阻R15的另一端连接主电路的输出负端，电阻R10连接在运算放大器IC2A的输出端和反相输入端之间，电容C6连接在运算放大器IC2A的输出端和反相输入端之间，电容C7的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电容C7的另一端接地，电阻R14的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电阻R14的另一端接地，电阻R11连接在运算放大器IC2A的输出端和运算放大器IC3A的正相输入端之间，电阻R12一端连接运算放大器IC3A的反相输入端，另一端连接参考电压V电阻Refl，运算放大器IC3A的输出端连接二极管D5的正极。