[实用新型]一种带充电输入高压保护的电路

说明书

本实用新型公开了一种带充电输入高压保护的电路，本实用新型的电路带充电输入高压保护，在电路中设置N沟道MOS管Q1、PNP型三极管Q2、三个电阻和两个电容，当输入电压在正常范围内时，PNP型三极管Q2处于截止状态N沟道MOS管Q1处于导通状态，输出电压等于输入电压。当输入电压超过正常范围时，PNP型三极管Q2处于导通状态，N沟道MOS管Q1处于截止状态，输出电压为零从而保护后面的电路不受到损伤。

技术领域

本实用新型涉及电路，具体的说是涉及一种带充电输入高压保护的电路。

背景技术

市面上有着各种的电子产品，但是不同的电子产品的供电(充电)电压不一致而供电(充电)接口却是一样的，在使用电子产品的过程中容易混淆而使用了错误的充电器或者适配器，当低压的电子产品使用了高电压的充电器或者适配器可能导致产品的损坏。

实用新型内容

针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种带充电输入高压保护的电路，设计该电路的目的是高压输入保护，避免电子产品烧坏。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：本实用新型的一种带充电输入高压保护的电路，包括：

一个N沟道MOS管Q1，所述N沟道MOS管Q1的源极接入电源输入端IN，其漏极接电源输出端OUT；

一个PNP型三极管Q2，所述PNP型三极管Q2的集电极连接所述N沟道MOS管Q1的源极S，其发射极连接至所述N沟道MOS管Q1的栅极G；

电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1和电阻R2连接，其之间的电路节点上连接至所述PNP型三极管Q2基极，所述电阻R2的另一端接至所述N沟道MOS管Q1的源极，所述电阻R3的一端连接所述N沟道MOS管Q1的栅极G，其另一端连接所述电阻R1的另一端并接地；

有极性电容C1，该有极性电容的正极连接至所述N沟道MOS管Q1的栅极G，其负极端连接至所述电阻R3的接地端；

电容C2，一端接至所述N沟道MOS管Q1的漏极D，其另一端连接至所述电阻R3的接地端。

进一步的，所述N沟道MOS管Q1的型号为CJ3401。

进一步的，所述PNP型三极管Q2的型号为8550。

进一步的，所述电阻R1和电阻R2的阻值满足：PNP型三极管Q2的基极电压等于R1/(R1+R2)倍的输入电压。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：本实用新型的电路带充电输入高压保护，在电路中设置N沟道MOS管Q1、PNP型三极管Q2、三个电阻和两个电容，当输入电压在正常范围内时，PNP型三极管Q2处于截止状态N沟道MOS管Q1处于导通状态，输出电压等于输入电压。当输入电压超过正常范围时，PNP型三极管Q2处于导通状态，N沟道MOS管Q1处于截止状态，输出电压为零从而保护后面的电路不受到损伤。

附图说明

图1为本实用新型带充电输入高压保护的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本实用新型所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。