[实用新型]一种带充电输入高压保护的电路

权利要求书

1.一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，包括：

一个N沟道MOS管Q1，所述N沟道MOS管Q1的源极接入电源输入端IN，其漏极接电源输出端OUT；

一个PNP型三极管Q2，所述PNP型三极管Q2的集电极连接所述N沟道MOS管Q1的源极S，其发射极连接至所述N沟道MOS管Q1的栅极G；

电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1和电阻R2连接，其之间的电路节点上连接至所述PNP型三极管Q2基极，所述电阻R2的另一端接至所述N沟道MOS管Q1的源极，所述电阻R3的一端连接所述N沟道MOS管Q1的栅极G，其另一端连接所述电阻R1的另一端并接地；

有极性电容C1，该有极性电容的正极连接至所述N沟道MOS管Q1的栅极G，其负极端连接至所述电阻R3的接地端；

电容C2，一端接至所述N沟道MOS管Q1的漏极D，其另一端连接至所述电阻R3的接地端。

2.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述N沟道MOS管Q1的型号为CJ3401。

3.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述PNP型三极管Q2的型号为8550。

4.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述电阻R1和电阻R2的阻值满足：PNP型三极管Q2的基极电压等于R1/(R1+R2)倍的输入电压。