[实用新型]一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器有效
| 申请号： | 202121283885.2 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN214954178U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 伍铁生;刘岩;钟旭;刘锐;刘智慧;杨祖宁;杨丹;张慧仙 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/00;G02B5/30 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 白洪 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 表面 标准 结构 相位 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器，其特征在于，
所述等离子体超表面标准具结构的相位调制器包括等离子体纳米天线阵列、隔离层和反射层，所述隔离层与所述等离子体纳米天线阵列固定连接，并位于所述等离子体纳米天线阵列的上方，所述反射层与所述隔离层固定连接，并位于所述隔离层的上方。
2.如权利要求1所述的一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器，其特征在于，
所述等离子体纳米天线阵列由多个五边形金属柱组成，每个所述五边形金属柱均与所述隔离层固定连接，并在所述隔离层的上方呈周期性分布。
3.如权利要求2所述的一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器，其特征在于，
每个所述五边形金属柱的五边形边长w为20～220nm。
4.如权利要求3所述的一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器，其特征在于，
所述隔离层的材质为二氧化硅，厚度h2为200nm。
5.如权利要求4所述的一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器，其特征在于，
所述反射层的材质为铝，厚度h3为200nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121283885.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半自动气体保护焊焊枪夹具
- 下一篇：一种用于自动反射镜机台的斜角加电工装
