[实用新型]基于PVDF压电薄膜的超声波测距传感器有效
| 申请号： | 202121257473.1 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN215264028U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘浩;周长阳;殷军伟;管涛 | 申请（专利权）人： | 三三智能科技（日照）有限公司 |
| 主分类号： | G01S15/08 | 分类号： | G01S15/08;G01S15/93;G01S7/521 |
| 代理公司： | 烟台炳诚专利代理事务所(普通合伙) 37258 | 代理人： | 张玉翠 |
| 地址： | 276800 山东省日照市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 pvdf 压电 薄膜 超声波 测距 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于PVDF压电薄膜的超声波测距传感器，包括超声波探头、升压器（5）、控制器（7）、整流放大电路（6），所述控制器连接升压器和整流放大电路，所述升压器和整流放大电路分别连接超声波探头，其特征是，所述超声波探头为PVDF压电薄膜超声探头（4）；所述PVDF压电薄膜超声探头（4）为圆环结构，其包括PVDF压电薄膜、内电极（2）和外电极（3），PVDF压电薄膜设置在内部支撑体（1）上，PVDF压电薄膜两侧覆盖有导电材料形成导电层，圆环结构内侧的导电层引出与外电路连接的结构为内电极（2）；圆环外侧的导电层引出与外电路连接的结构为外电极（3）；所述内部支撑体（1）的上下表面的外径和PVDF压电薄膜超声探头（4）的内径相同，两者同心安装。
2.根据权利要求1所述的基于PVDF压电薄膜的超声波测距传感器，其特征是，所述内部支撑体（1）中间区域有环形凹槽，内部支撑体（1）沿高度方向的剖面图为“工”型结构。
3.根据权利要求1所述的基于PVDF压电薄膜的超声波测距传感器，其特征是，所述PVDF压电薄膜超声探头（4）由PVDF压电薄膜和其两侧覆盖有导电材料通过粘结或超声焊的方式形成圆环结构。
4.根据权利要求1所述的基于PVDF压电薄膜的超声波测距传感器，其特征是，所述控制器为STM32控制器。
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