[实用新型]防腐蚀的ITO导电膜

权利要求书

1.一种防腐蚀的ITO导电膜，包括基材层（10），其特征在于：还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层（10）的一面上的树脂阻挡层（11），通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层（11）上的光匹配打底层（12），通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层（12）上的ITO导电层（13）和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层（13）上的阻挡封盖层（14），

所述树脂阻挡层（11）的折射率为1.6-1.7，厚度为700-1000nm，

所述光匹配打底层（12）的折射率为1.4-1.5，厚度为5-15nm，

所述阻挡封盖层（14）的折射率为1.4-2.4，厚度为1-15nm。

2.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述阻挡封盖层（14）为二氧化硅层，折射率为1.46，厚度为10-15nm，或者所述阻挡封盖层（14）为氧化铌层，折射率为2.3，厚度为1-5nm。

3.根据权利要求2所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述树脂阻挡层（11）为掺有氧化锆粒子、氧化铝粒子或者氧化钛粒子的丙烯酸树脂层，折射率为1.63-1.65，厚度为800-1000nm。

4.根据权利要求3所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述光匹配打底层（12）为二氧化硅层，折射率为1.46。

5.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述基材层（10）为PET层,厚度为50um，100um，125um或者188um。

6.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述ITO导电层（13）的厚度为15-80nm。