[实用新型]一种氧化镓背钝化的太阳能电池

权利要求书

1.一种氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述的太阳能电池包括P型硅基体，所述P型硅基体相对的两侧表面分别设置有正面镀层和背面镀层，所述的正面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的发射极、正面氧化硅层和正面氮化硅层，所述的背面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的氧化硅钝化层、氧化镓钝化层和背面钝化层。

2.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述电池包括依次贯穿所述的正面氮化硅层、正面氧化硅层和发射极并插入P型硅基体内部的正面电极，所述的正面电极与P型硅基体形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述的电池还包括依次贯穿所述的背面钝化层、氧化镓钝化层和氧化硅钝化层并插入P型硅基体内部的背面电极，所述的背面电极与P型硅基体形成欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述的背面钝化层为氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

5.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅钝化层的厚度为1～15nm。

6.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述氧化镓钝化层的厚度为10～100nm。

7.根据权利要求6所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述氧化镓钝化层的厚度为20～40nm。

8.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层的厚度为10～200nm。

9.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述正面氧化硅层的厚度为1～5nm。

10.根据权利要求1所述的氧化镓背钝化的太阳能电池，其特征在于，所述正面氮化硅层的厚度为10～200nm。